[发明专利]功率分配/合成器

权利要求书

1.一种功率分配/合成器，其中，该功率分配/合成器具备：

公共端子，其输入要分配的高频信号或者输出所合成的高频信号；

第1输入/输出端子和第2输入/输出端子，它们输出所分配的高频信号或者输入要合成的高频信号；

第1四分之一波长阻抗变换器，其一端与所述公共端子连接，另一端与所述第1输入/输出端子连接；

第2四分之一波长阻抗变换器，其一端与所述公共端子连接，另一端与所述第2输入/输出端子连接；

隔离电阻，其防止和所述第1输入/输出端子有关的高频信号与和所述第2输入/输出端子有关的高频信号之间的干扰；

第1线路，其连接所述隔离电阻和所述第1输入/输出端子，长度为半波长的整数倍；以及

第2线路，其连接所述隔离电阻和所述第2输入/输出端子，长度为半波长的整数倍，

所述第1线路和所述第2线路分别由至少两个以上的阻抗不相同的线路部级联连接而构成，

所述第1线路在位于线路的长度方向上的中心或比中心靠所述第1输入/输出端子侧的线路部设置有第1短截线，

所述第2线路在位于线路的长度方向上的中心或比中心靠所述第2输入/输出端子侧的线路部设置有第2短截线，

其中，该功率分配/合成器由多层基板的如下部分构成：

多层基板的内层的条带导体，其分别形成所述各端子、变换器、线路和短截线；

芯片电阻器，其形成所述电阻，所述芯片电阻器是表面安装的芯片电阻器或安装在多层基板的内层；以及

垂直连接导体，其连接所述条带导体和所述芯片电阻器，

在所述垂直连接导体的周围具有接地垂直导体。

2.根据权利要求1所述的功率分配/合成器，其中，

在所述第1四分之一波长阻抗变换器与所述第2四分之一波长阻抗变换器之间设置有第3短截线。

3.一种功率分配/合成器，其中，该功率分配/合成器具备：

公共端子，其输入要分配的高频信号或者输出所合成的高频信号；

第1输入/输出端子和第2输入/输出端子，它们输出所分配的高频信号或者输入要合成的高频信号；

四分之一波长阻抗变换器，其一端与所述公共端子连接；

第1四分之一波长线路，其一端与所述阻抗变换器连接，另一端与所述第1输入/输出端子连接；

第2四分之一波长线路，其一端与所述阻抗变换器连接，另一端与所述第2输入/输出端子连接；

隔离电阻，其防止和所述第1输入/输出端子有关的高频信号与和所述第2输入/输出端子有关的高频信号之间的干扰；

第1线路，其连接所述隔离电阻和所述第1输入/输出端子，长度为半波长的整数倍；以及

第2线路，其连接所述隔离电阻和所述第2输入/输出端子，长度为半波长的整数倍，

所述第1线路和所述第2线路分别由至少两个以上的阻抗不相同的线路部级联连接而成，

所述第1线路在位于线路的长度方向上的中心或比中心靠所述第1输入/输出端子侧的线路部设置有第1短截线，

所述第2线路在位于线路的长度方向上的中心或比中心靠所述第2输入/输出端子侧的线路部设置有第2短截线，

其中，该功率分配/合成器由多层基板的如下部分构成：

多层基板的内层的条带导体，其分别形成所述各端子、变换器、线路和短截线；

芯片电阻器，其形成所述电阻，所述芯片电阻器是表面安装的芯片电阻器或安装在多层基板的内层；以及

垂直连接导体，其连接所述条带导体和所述芯片电阻器，

在所述垂直连接导体的周围具有接地垂直导体。

4.根据权利要求3所述的功率分配/合成器，其中，

在所述第1四分之一波长线路与所述第2四分之一波长线路之间设置有第3短截线。

5.根据权利要求1～4中的任一项所述的功率分配/合成器，其中，

所述第1线路和所述第2线路具有半波长的奇数倍的长度。

6.根据权利要求1～4中的任一项所述的功率分配/合成器，其中，

所述第1线路和所述第2线路具有半波长的偶数倍的长度。