[发明专利]硅晶圆的热处理方法有效
| 申请号： | 201780033330.2 | 申请日： | 2017-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN109196625B | 公开（公告）日： | 2023-06-13 |
| 发明（设计）人： | 前田进;番场博则;须藤治生;冈村秀幸;荒木浩司;末冈浩治;中村浩三 | 申请（专利权）人： | 环球晶圆日本股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/322 | 分类号： | H01L21/322;C30B33/02;H01L21/26 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 苗堃;金世煜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅晶圆 热处理 方法 | ||
1.一种硅晶圆的热处理方法，具有如下工序：
利用预测硅晶圆中的空位和间隙硅原子的热处理中的行为的点缺陷模拟来决定成为任意的无缺陷区域的宽度wDZ的处理温度TS、降温速度Rd和氧分压P的组合的工序；
决定使所述无缺陷区域的宽度wDZ、处理温度TS、降温速度Rd和氧分压P建立联系的回归方程的工序；以及
使用所述回归方程决定用于得到所希望的宽度的无缺陷区域的处理温度TS、降温速度Rd和氧分压P的组合的工序；
所述回归方程由下述式(C)表示，能够在±5μm的误差范围内预测无缺陷区域的宽度wDZ，
wDZ＝-0.129Rd+15.6P-0.0109TS·Rd+34.2P/Rd-7.95 (C)。
2.根据权利要求1所述的硅晶圆的热处理方法，其中，具有如下工序：
利用预测硅晶圆中的空位和间隙硅原子的热处理中的行为的点缺陷模拟来决定成为任意的中间层的宽度WInter的处理温度TS、降温速度Rd和氧分压P的组合的工序；
决定使所述中间层的宽度WInter、处理温度TS、降温速度Rd和氧分压P建立联系的回归方程的工序；以及
使用所述回归方程决定用于得到所希望的宽度的中间层的处理温度TS、降温速度Rd和氧分压P的组合的工序。
3.根据权利要求2所述的硅晶圆的热处理方法，其中，所述回归方程由下述式(D)表示，能够在±10μm的误差范围内预测中间层的宽度WInter，
WInter＝-0.141TS-6.74P+0.00456Ts·Rd+62.7P/Rd+243.1 (D)。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
