[发明专利]基板的制造方法

权利要求书

1.一种基板的制造方法，其具备：

在Si基板的一个主面上形成厚度为10nm以上160nm以下的SiC膜的工序、

除去与所述SiC膜接触的所述Si基板的至少一部分使所述SiC膜的背面在所述Si基板的凹部的底面露出的工序、以及

在除去所述Si基板的至少一部分的工序之后，在所述SiC膜的表面上形成其他SiC膜的工序，

其中，在除去所述Si基板的至少一部分的工序中，通过湿式蚀刻除去所述Si基板的另一个主面的至少一部分，使所述Si基板和所述SiC膜相对于所述湿式蚀刻使用的药液进行相对地移动。

2.根据权利要求1所述的基板的制造方法，其中，在除去所述Si基板的至少一部分的工序中，使所述Si基板和所述SiC膜在相对于所述SiC膜的一个主面平行的平面内的方向上移动。

3.根据权利要求2所述的基板的制造方法，其中，在除去所述Si基板的至少一部分的工序中，在使所述Si基板和所述SiC膜发生旋转的状态下，将所述湿式蚀刻使用的药液注入到所述Si基板的所述另一个主面上。

4.根据权利要求1所述的基板的制造方法，其中，还具备在所述Si基板的所述另一个主面的中央部形成以Si为底面的凹部的工序，在除去所述Si基板的至少一部分的工序中，使所述SiC膜露出于所述凹部的底面。

5.根据权利要求4所述的基板的制造方法，其中，在所述Si基板的所述另一个主面的中央部形成所述凹部的工序之后，进行在所述Si基板的所述一个主面上形成所述SiC膜的工序。

6.根据权利要求4所述的基板的制造方法，其中，在所述Si基板的所述一个主面上形成所述SiC膜的工序之后，进行在所述Si基板的所述另一个主面的中央部形成所述凹部的工序。

7.根据权利要求4所述的基板的制造方法，其中，在所述Si基板的所述另一个主面的中央部形成所述凹部的工序中，将形成于所述Si基板的所述另一个主面上的由氧化膜或氮化膜构成的掩模层作为掩模，通过湿式蚀刻除去所述Si基板的所述另一个主面的中央部。

8.根据权利要求1所述的基板的制造方法，其中，在形成所述SiC膜的工序中，在所述Si基板的所述一个主面、侧面以及所述Si基板的所述另一个主面的外周部上形成所述SiC膜，

在除去所述Si基板的至少一部分的工序中，将形成于所述Si基板的所述另一个主面的所述外周部上的所述SiC膜作为掩模来除去所述Si基板的所述另一个主面。

9.根据权利要求1所述的基板的制造方法，在除去所述Si基板的至少一部分的工序中，作为所述湿式蚀刻使用的药液使用包含氢氟酸和硝酸的混酸。

10.根据权利要求1所述的基板的制造方法，还具备在形成所述其他SiC膜的工序之后，将所述Si基板完全除去的工序。