[发明专利]用于处理硅材料的方法

权利要求书

1.一种用于制造光伏器件的方法，所述方法包括以下步骤：

提供包括硅p-n结的基板；

在存在氢源的情况下在500℃至700℃之间的温度下使所述基板退火第一预定时间段，以允许氢原子进入到所述硅p-n结的硅材料中；以及

在按照以下方式将所述基板保持在150℃至400℃之间的温度的同时将所述基板暴露到电磁辐射，该方式是使得以至少20mW/cm²的辐射强度提供具有比所述硅材料的带隙的能量更高的能量的光子，并且在所述硅材料中产生少数载流子的过剩；

其中，在使所述基板退火和将所述基板暴露到电磁辐射的步骤期间，所述硅材料中的电活性缺陷被钝化。

2.一种用于制造光伏器件的方法，所述方法包括以下步骤：

提供包括硅p-n结的基板；

在存在氢源的情况下在300℃至700℃之间的温度下使所述基板退火第一预定时间段，以允许氢原子进入到所述p-n结的硅材料中；

在按照以下方式将所述基板保持在150℃至400℃之间的温度的同时将所述基板暴露到电磁辐射，该方式是使得以至少20mW/cm²的辐射强度提供具有比硅的带隙的能量更高的能量的光子，并且在所述硅材料中产生少数载流子的过剩；以及

在200℃至500℃之间的温度下使所述基板进一步退火第二预定时间段，以减小金属电极与所述硅材料之间的接触电阻；

其中，在使所述基板退火和将所述基板暴露到电磁辐射的步骤期间，所述硅材料中的电活性缺陷被钝化。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述第一时间段在1秒至5分钟之间。

4.一种用于制造光伏器件的方法，所述方法包括以下步骤：

提供包括硅p-n结的基板；

在存在氢源的情况下在700℃至900℃之间的温度下使所述基板退火第一预定时间段，以允许氢原子进入到所述硅p-n结的硅材料中；

在600℃至700℃之间的温度下使所述基板退火另一预定时间段；以及

在按照以下方式将所述基板保持在150℃至400℃之间的温度的同时将所述基板暴露到电磁辐射，该方式是使得以至少20mW/cm²的辐射强度提供具有比硅的带隙的能量更高的能量的光子，并且在所述硅材料中产生少数载流子的过剩；

其中，在使所述基板退火和将所述基板暴露到电磁辐射的步骤期间，所述硅材料中的电活性缺陷被钝化。

5.一种用于制造光伏器件的方法，所述方法包括以下步骤：

提供包括硅p-n结的基板；

在存在氢源的情况下在700℃至900℃之间的温度下使所述基板退火第一预定时间段，以允许氢原子进入到所述p-n结的硅材料中；

在250℃至700℃之间的温度下使所述基板退火另一预定时间段；以及

在按照以下方式将所述基板保持在150℃至400℃之间的温度的同时将所述基板暴露到电磁辐射，该方式是使得以至少20mW/cm²的辐射强度提供具有比硅的带隙的能量更高的能量的光子，并且在所述硅材料中产生少数载流子的过剩；

在200℃至500℃之间的温度下使所述基板进一步退火第二预定时间段，以减小金属电极与所述硅材料之间的接触电阻；

其中，在使所述基板退火和将所述基板暴露到电磁辐射的步骤期间，所述硅材料中的电活性缺陷被钝化。

6.根据权利要求4或5所述的方法，其中，所述第一时间段在1秒至5秒之间。

7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述方法还包括以下步骤：在所述基板的表面上形成多个金属电极；以及以使得在所述电极与所述硅p-n结之间形成电接触的方式对所述基板进行退火。

8.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述方法还包括以下步骤：在使所述基板退火第一预定时间段的步骤期间或在使所述基板退火另一预定时间段的步骤期间将所述基板暴露到电磁辐射，所述电磁辐射具有足以在硅内生成电子对的能量。