[发明专利]双分子层形成的电气增强有效

专利信息
申请号: 201780033540.1 申请日: 2017-03-29
公开(公告)号: CN109154596B 公开(公告)日: 2020-09-29
发明(设计)人: R.J.A.陈;J.W.小曼尼;A.瓦巴;K.G.阿利亚多;K.尤梅达;W.尼尔森;J.H.罗 申请(专利权)人: 吉尼亚科技公司
主分类号: G01N33/487 分类号: G01N33/487
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 黄涛;刘春元
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 分子 形成 电气 增强
【权利要求书】:

1.一种在基于纳米孔的测序芯片中的单元阵列上形成多个脂质双分子层的方法,每个单元包括贮液器,所述方法包括:

使盐缓冲溶液在基于纳米孔的测序芯片中在单元阵列上流动,以便利用所述盐缓冲溶液基本上填充所述单元中的贮液器;

使脂质和溶剂混合物在单元阵列上流动,以便使脂质和溶剂混合物沉积在至少一些单元中的贮液器上;

检测所述单元的第一部分,所述第一部分中每个单元在单元的贮液器上具有脂质双分子层,并且检测所述单元的第二部分,所述第二部分中每个单元在单元的贮液器上具有脂质隔膜而不是脂质双分子层;以及

选择性地将电气脂质减薄刺激施加到所述单元的第二部分而不施加到所述单元的第一部分,

其中检测单元在其贮液器上是否具有脂质双分子层包括:向所述单元施加电气测量刺激,并且其中所述电气测量刺激具有小于所述电气脂质减薄刺激的绝对量值的绝对量值。

2.根据权利要求1所述的方法,还包括:递增地增加所述电气脂质减薄刺激的绝对量值。

3.根据权利要求2所述的方法,还包括:

至少部分地基于所述基于纳米孔的测序芯片的目标产率来终止所述电气脂质减薄刺激进一步施加到所述单元阵列,其中目标产率包括在单元中的贮液器上具有脂质双分子层的单元的目标百分比。

4.根据权利要求1所述的方法,其中选择性地将电气脂质减薄刺激施加到所述单元的第二部分而不施加到所述单元的第一部分包括:

通过使单元的第一部分中每个单元中的开关开路来把所述单元的第一部分与电气脂质减薄刺激断开。

5.根据权利要求1所述的方法,其中选择性地将电气脂质减薄刺激施加到所述单元的第二部分而不施加到所述单元的第一部分在第一预定时间段内执行,所述方法还包括:

在第一预定时间段期间,检测至少一个附加单元从在其贮液器上具有脂质隔膜转变为在其贮液器上具有脂质双分子层;

将所述至少一个附加单元分配到所述单元的第一部分而不等待直到第一预定时间段结束,使得电气脂质减薄刺激不被施加到所述至少一个附加单元,所述单元的第一部分中的每个单元在单元的贮液器上具有脂质双分子层。

6.根据权利要求5所述的方法,还包括:

在预定时间段结束之后,使盐缓冲溶液在基于纳米孔的测序芯片中在单元阵列上流动,以减小单元中贮液器上的脂质隔膜的厚度。

7.根据权利要求6所述的方法,其中使盐缓冲溶液在基于纳米孔的测序芯片中在单元阵列上流动以减小单元中贮液器上的脂质隔膜的厚度在第二预定时间段内执行,所述方法还包括:

在第二预定时间段期间,检测至少一个附加单元从在其贮液器上具有脂质隔膜转变为在其贮液器上具有脂质双分子层;

将所述至少一个附加单元分配到单元的第一部分,而不等待直到第二预定时间段结束,使得没有电气刺激被施加到所述至少一个附加单元,所述单元的第一部分中的每个单元在单元的贮液器上具有脂质双分子层。

8.根据权利要求7所述的方法,其中,选择性地将电气脂质减薄刺激施加到单元的第二部分而不施加到单元的第一部分的步骤以及使盐缓冲溶液在基于纳米孔的测序芯片中在所述单元阵列上流动以减小所述单元中贮液器上的脂质隔膜厚度的步骤被重复多次。

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