[发明专利]用于串扰减少的电容性结构有效
申请号: | 201780033711.0 | 申请日: | 2017-06-02 |
公开(公告)号: | CN109478173B | 公开(公告)日: | 2023-07-18 |
发明(设计)人: | 张志超;X·李;K·艾京;钱治国;T·梅米奥格鲁 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | G06F13/40 | 分类号: | G06F13/40 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 林金朝;王英 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 减少 电容 结构 | ||
1.一种用于串扰减少的装置,包括:
双列直插式存储器模块(DIMM),包括:
存储器模块集成电路(IC);
双列直插式存储器模块印刷电路板(PCB);
多个双列直插式存储器模块印刷电路板触点;以及
电容性结构,所述电容性结构在第一双列直插式存储器模块连接器信号引脚和第二双列直插式存储器模块连接器信号引脚之间提供互电容;其中:
所述多个双列直插式存储器模块印刷电路板触点包括耦合到所述第一双列直插式存储器模块连接器信号引脚的第一双列直插式存储器模块印刷电路板触点、耦合到地的第二双列直插式存储器模块印刷电路板触点和耦合到第二双列直插式存储器模块连接器信号引脚的第三双列直插式存储器模块印刷电路板触点,
所述第二双列直插式存储器模块印刷电路板触点在所述第一双列直插式存储器模块印刷电路板触点和所述第三双列直插式存储器模块印刷电路板触点之间,
所述电容性结构包括耦合到所述第一双列直插式存储器模块印刷电路板触点的过孔、耦合到所述过孔的迹线、以及耦合到所述迹线的板,所述板相对于所述第三双列直插式存储器模块印刷电路板触点定位,并通过电介质材料与所述第三双列直插式存储器模块印刷电路板触点分离,其中,所述迹线跨越所述第二双列直插式存储器模块印刷电路板触点,并且
所述迹线和所述板中的至少一者包括在所述双列直插式存储器模块印刷电路板的未电耦合到所述第二双列直插式存储器模块印刷电路板触点的层中。
2.根据权利要求1所述的装置,其中,
所述板、所述第二双列直插式存储器模块印刷电路板触点的至少一部分和所述电介质材料对应于互电容器;并且
所述双列直插式存储器模块印刷电路板的未电耦合到所述第二双列直插式存储器模块印刷电路板触点的所述层是所述双列直插式存储器模块印刷电路板的接地平面凹槽。
3.根据权利要求1所述的装置,其中,所述板具有面积A,并且与所述第三双列直插式存储器模块印刷电路板触点分开距离d。
4.根据权利要求3所述的装置,其中,选择所述面积A以在所述第一双列直插式存储器模块印刷电路板触点和所述第三双列直插式存储器模块印刷电路板触点之间实现目标互电容,所述目标互电容用以减少至少一个双列直插式存储器模块连接器信号引脚产生的远端串扰。
5.根据权利要求1所述的装置,其中,所述双列直插式存储器模块印刷电路板包括多个电容性结构,以在所述第一双列直插式存储器模块连接器信号引脚和多个其他双列直插式存储器模块连接器信号引脚之间提供多个互电容。
6.根据权利要求1所述的装置,其中,所述双列直插式存储器模块印刷电路板的未电耦合到所述第二双列直插式存储器模块印刷电路板触点的所述层是所述双列直插式存储器模块印刷电路板的接地平面凹槽。
7.根据权利要求4所述的装置,其中,所述目标互电容在1皮法(pF)的量级上。
8.根据权利要求1所述的装置,还包括:
处理器;以及
双列直插式存储器模块连接器。
9.根据权利要求8所述的装置,其中:
所述板、所述第二双列直插式存储器模块印刷电路板触点的至少一部分和所述电介质材料对应于互电容器;并且
所述双列直插式存储器模块印刷电路板的未电耦合到所述第二双列直插式存储器模块印刷电路板触点的所述层是所述双列直插式存储器模块印刷电路板的接地平面凹槽。
10.根据权利要求8所述的装置,其中,所述板具有面积A,并且与所述第三双列直插式存储器模块印刷电路板触点分开距离d。
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