[发明专利]十二边形传送腔室和具有十二边形传送腔室的处理系统有效
申请号: | 201780033957.8 | 申请日: | 2017-05-02 |
公开(公告)号: | CN109314071B | 公开(公告)日: | 2022-09-09 |
发明(设计)人: | 栗田真一;稻川真;汉正·H·林;松本隆之;苏希尔·安瓦尔 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 十二 传送 具有 处理 系统 | ||
1.一种传送腔室,包括:
盖;
底部,与所述盖相对地设置;
多个侧壁,将所述盖密封地耦接到所述底部并限定内部容积,其中所述多个侧壁包括十二个面,所述十二个面经构造以耦接到另一个腔室,每个面具有穿过其中而形成的开口,所述开口经构造以允许基板从中穿过;
基部,所述基部具有中心,所述中心具有在所述内部容积中从所述盖延伸至底部的轴线,所述中心与所述多个侧壁等距;和
传送机器人,设置在所述内部容积中,其中用于所述传送机器人的平衡中心从所述基部的所述中心偏移一定距离,所述传送机器人包括:
主体,所述主体设置在所述基部上,所述主体具有第一端和第二端,所述第一端比所述第二端更靠近所述基部中心,所述主体上具有轨道;
平衡配重,所述平衡配重在比所述第二端更靠近所述传送腔室的所述基部中心的所述第一端处附接至并设置在所述主体的下方;
腕部,所述腕部具有侧边和底部,所述腕部的所述底部附接至引导件,所述引导件沿着所述轨道移动;和
至少一对终端受动器,所述至少一对终端受动器附接至所述腕部的所述侧边并在朝向所述第二端的方向上延伸,所述终端受动器能够与所述腕部一起在所述轨道上移动,所述腕部比所述至少一对终端受动器的每一个终端受动器的远端更靠近所述基部中心,所述终端受动器经构造以线性地延伸来传送基板通过所述开口,并且所述平衡配重经构造以在所述终端受动器从所述基部中心线性地延伸时抵消所述终端受动器的重量。
2.一种用于处理多个基板的处理系统,包括:
传送腔室,包括:
盖;
底部,与所述盖相对地设置;
多个侧壁,将所述盖密封地耦接到所述底部并限定内部容积,其中所述多个侧壁包括十二个面,所述十二个面经构造以耦接到另一个腔室,每个面具有穿过其中而形成的开口,所述开口经构造以允许基板从中穿过;和
传送机器人,设置在所述内部容积中,其中用于所述传送机器人的平衡中心从所述传送腔室的中心偏移一定距离,所述传送机器人包括:
基部,所述基部设置在所述传送腔室的所述中心;
主体,所述主体设置在所述基部上并在所述主体上具有轨道;
至少一个终端受动器;
腕部,所述腕部附接至所述至少一个终端受动器,其中所述腕部和所述至少一个终端受动器附接至引导件,所述引导件沿着所述轨道移动以传送所述基板通过所述开口,其中所述腕部和所述至少一个终端受动器从所述传送腔室的所述中心横向地偏移,使得所述腕部相较于相对端更靠近所述中心;和
平衡配重,所述平衡配重邻近所述腕部设置;
第一装载锁定腔室,耦接到所述传送腔室的所述面中的一个面并具有开口,其中所述第一装载锁定腔室的所述开口与所述传送腔室的所述开口中的一个开口对准,以允许基板在所述第一装载锁定腔室与所述传送腔室之间传送;
掩模腔室,耦接到所述传送腔室的所述面中的一个面并具有开口,其中所述掩模腔室的所述开口与所述传送腔室的所述开口中的一个开口对准,以允许掩模在所述掩模腔室与所述传送腔室之间传送;
多个处理腔室,耦接到所述传送腔室的所述面中的一个面,所述处理腔室中的每个腔室具有与所述传送腔室中的所述开口中的一个开口对准的开口,以允许基板和掩模在所述处理腔室与所述传送腔室之间传送;和
缓冲腔室,具有开口,其中所述开口与所述传送腔室中的所述开口中的一个开口对准,所述缓冲腔室经构造以将5个或更多个基板保持在真空环境中。
3.如权利要求2所述的处理系统,其中所述至少一个终端受动器包括上部终端受动器和下部终端受动器以用于支撑单独的基板。
4.如权利要求3所述的处理系统,其中所述传送机器人经构造以使基板水平地移动至少5000毫米并使基板竖直地移动至少540毫米。
5.如权利要求2所述的处理系统,还包括:
真空泵,流体地耦接到所述传送腔室的所述内部容积,其中所述真空泵是可操作的,以在所述内部容积内形成10Torr至50mTorr之间的气氛。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造