[发明专利]环境传感器系统有效

专利信息
申请号: 201780033961.4 申请日: 2017-05-25
公开(公告)号: CN109564180B 公开(公告)日: 2022-05-10
发明(设计)人: S·Z·艾利;S·J·斯黛茜;F·乌德雷亚 申请(专利权)人: 希奥检测有限公司
主分类号: G01N27/12 分类号: G01N27/12;G01N21/3504;G01N27/16
代理公司: 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 代理人: 谢攀;刘继富
地址: 荷兰埃*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 环境 传感器 系统
【权利要求书】:

1.一种环境传感器系统,包括:

环境传感器,包括至少第一加热器和第二加热器,其中,与所述第二加热器相比,所述第一加热器配置成消耗更低的功率;

与所述环境传感器连接的控制器,

其中,所述控制器被配置为基于预定技术接通所述第一加热器和所述第二加热器中的至少一者,

其中所述控制器被配置为:

存储一组测量值;

从该组测量值分析预定数量的最近测量值;以及

基于所述预定数量的最近测量值的分析结果确定要接通所述第一加热器和所述第二加热器中的哪一个,以及

其中如果所述控制器根据所分析的结果确定没有测量值或所述测量值小于预定阈值限制,则所述控制器被配置为接通所述第一加热器,以及其中如果所述控制器根据所分析的结果确定所述测量值大于所述预定阈值限制,则所述控制器被配置为接通所述第二加热器或所述第一加热器和所述第二加热器两者。

2.根据权利要求1所述的传感器系统,其中所述控制器被配置为应用所述预定技术以检测是否存在目标环境参数的测量值,并且其中所述控制器被配置为基于所述目标环境参数的测量值的存在和/或结果接通所述第一加热器和所述第二加热器中的至少一者。

3.根据权利要求1所述的传感器系统,其中所述控制器被配置为应用所述预定技术以根据基于时间的事件或根据所述传感器系统中的功率变化检测来接通所述第一加热器和所述第二加热器中的至少一者。

4.根据权利要求1所述的传感器系统,其中与所述第二加热器相比,所述第一加热器具有更小的尺寸。

5.根据权利要求2所述的传感器系统,其中所述控制器被配置为检测是否不存在所述目标环境参数的测量值。

6.根据权利要求5所述的传感器系统,其中所述控制器被配置为接通所述第一加热器。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的传感器系统,其中所述控制器被配置为分析所述测量值,并且如果所述测量值超过预定阈值限制,则所述控制器被配置为接通所述第二加热器。

8.根据权利要求7所述的传感器系统,其中所述控制器被配置为如果所述测量值超过所述预定阈值限制,则接通所述第一加热器和所述第二加热器。

9.根据权利要求1所述的传感器系统,其中所述环境传感器包括:

包括蚀刻部分的衬底;

所述衬底上的介电区域,所述介电区域的形成使得在所述蚀刻部分附近形成介电膜;

其中,所述第一加热器和所述第二加热器形成在所述介电膜中或所述介电膜上。

10.根据权利要求1所述的传感器系统,其中所述环境传感器包括:

包括第一蚀刻部分和第二蚀刻部分的衬底;

所述衬底上的介电区域,所述介电区域的形成使得在所述第一蚀刻部分附近形成第一介电膜,在所述第二蚀刻部分附近形成第二介电膜;

其中,所述第一加热器形成在所述第一介电膜中或所述第一介电膜上,所述第二加热器形成在所述第二介电膜中或所述第二介电膜上。

11.根据权利要求9或10所述的传感器系统,其中所述介电膜由以下任何一种形成:

a)使用深反应离子蚀刻(DRIE)对所述衬底进行背面蚀刻,

b)使用氢氧化钾(KOH)进行各向异性蚀刻,以及

c)使用四甲基氢氧化铵(TMAH)进行各向异性蚀刻。

12.根据权利要求9或10所述的传感器系统,其中所述介电膜包括:

包含二氧化硅和/或氮化硅的一个或多个介电层;

玻璃上的一个或多个旋转层;以及

所述一个或多个介电层上的钝化层。

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