[发明专利]紫外线发光半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.紫外线发光半导体器件，其具有基材、配置于所述基材上的紫外线发光元件、和将所述紫外线发光元件的至少一部分密封的密封材料层，

所述密封材料层具有第1密封材料层及第2密封材料层，

所述第1密封材料层包含加聚型有机硅密封材料或缩聚型有机硅密封材料，所述缩聚型有机硅密封材料包含具有二烷基硅氧烷结构的树脂，

所述第2密封材料层包含缩聚型有机硅密封材料，所述缩聚型有机硅密封材料包含具有下述通式(2A-1)或(3A-1)表示的有机聚硅氧烷结构的树脂，

所述第1密封材料层不与所述紫外线发光元件的光射出面相接触，

[化学式1]

通式(2A-1)中，R¹各自独立地表示烷基，R²各自独立地表示烷氧基或羟基，p¹、q¹、a¹及b¹表示满足[p¹+b¹×q¹]：[a¹×q¹]＝1：0.25～9的正数，

[化学式2]

通式(3A-1)中，R¹各自独立地表示烷基，R²各自独立地表示烷氧基或羟基，p²、q²、r¹、a²及b²表示[a²×q²]/[(p²+b²×q²)+a²×q²+(r¹+q²)]成为0.3以上且小于0.6的整数。

2.如权利要求1所述的紫外线发光半导体器件，其中，所述第1密封材料层包含加聚型有机硅密封材料。

3.如权利要求1所述的紫外线发光半导体器件，其中，所述具有二烷基硅氧烷结构的树脂为具有下述通式(1)表示的二烷基硅氧烷结构的树脂X，

[化学式3]

通式(1)中，R³各自独立地表示烷基，n表示5～4000的整数。

4.如权利要求3所述的紫外线发光半导体器件，其中，所述n为5～1000的整数。

5.如权利要求1～4中任一项所述的紫外线发光半导体器件，其中，所述第2密封材料层形成于所述第1密封材料层及所述紫外线发光元件的光射出面之上，且所述第2密封材料层与所述第1密封材料层相接触的面积小于所述第1密封材料层所形成的面积。

6.如权利要求1～5中任一项所述的紫外线发光半导体器件，其中，所述第1密封材料层的肖氏硬度为A80以下。

7.如权利要求1～6中任一项所述的紫外线发光半导体器件，其中，在所述第1密封材料层与第2密封材料层的界面处，所述第1密封材料层与所述第2密封材料层具有密合性。

8.如权利要求1～7中任一项所述的紫外线发光半导体器件，其中，具有两层以上的所述第2密封材料层。

9.如权利要求1～8中任一项所述的紫外线发光半导体器件，其中，所述第2密封层的形状为凸透镜形状。