[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

第一工序，在半导体晶片的第一主面的整个表面涂布光致抗蚀剂而形成预定厚度的光致抗蚀剂膜；

第二工序，使所述光致抗蚀剂膜的预定部位开口而形成抗蚀剂掩模；以及

第三工序，将所述抗蚀剂掩模作为掩模，从所述半导体晶片的第一主面起算以成为8μm以上射程的加速能量进行杂质的离子注入，

在所述第一工序之后，且所述第二工序之前，还包括：

干燥工序，通过热处理使所述光致抗蚀剂膜干燥；以及

除去工序，在所述干燥工序之后，利用药液溶解所述光致抗蚀剂膜的端部的整个周边，从而除去从所述光致抗蚀剂膜的端部起算为预定宽度的部分，

在所述除去工序中，在使所述半导体晶片围绕所述中心轴以预定转速以下的转速进行旋转的状态下，在所述光致抗蚀剂膜的端部滴下所述药液，从而以遍及所述光致抗蚀剂膜的端部的整个周边的方式涂布所述药液，

所述光致抗蚀剂膜的厚度为33μm以上。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述第一工序中，通过使所述半导体晶片围绕与该半导体晶片的第一主面正交的中心轴以预定转速进行旋转，而将所述光致抗蚀剂扩展到所述半导体晶片的第一主面的整个表面，从而形成所述预定厚度的所述光致抗蚀剂膜。

3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述除去工序中的所述预定转速一下的转速是所述预定转速的0.5倍以上且1倍以下。

4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述离子注入的加速能量为3.0MeV以上。

5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述杂质为氦。

6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

使所述离子注入的剂量为1×10¹⁵/cm²以下，

使所述离子注入的加速能量为5MeV以下，

在所述第二工序之后，不插入其他工序而进行所述第三工序。

7.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述第二工序包括：

曝光工序，在所述光致抗蚀剂膜转印预定的掩模图案；以及

显影工序，根据所述掩模图案选择性地溶解所述光致抗蚀剂膜，从而使所述光致抗蚀剂膜的所述预定部位开口，

在所述显影工序之后，不插入其他工序而进行所述第三工序。

8.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述半导体装置的制造方法中，使用化学增幅型的所述光致抗蚀剂。

9.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述半导体装置的制造方法中，使用正型的所述光致抗蚀剂。

10.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述半导体装置的制造方法中，使用负型的所述光致抗蚀剂。

11.根据权利要求1～10中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，还包括元件形成工序，所述元件形成工序在所述半导体晶片的第一区域形成第一半导体元件，在所述半导体晶片的第二区域形成第二半导体元件，

所述光致抗蚀剂膜的所述预定部位是与所述第二区域的形成区域对应的部位。