[发明专利]绝缘电路基板的制造方法、绝缘电路基板及热电转换模块有效
申请号: | 201780034318.3 | 申请日: | 2017-06-23 |
公开(公告)号: | CN109219878B | 公开(公告)日: | 2022-06-03 |
发明(设计)人: | 寺崎伸幸;大桥东洋 | 申请(专利权)人: | 三菱综合材料株式会社 |
主分类号: | H01L23/36 | 分类号: | H01L23/36;H01L23/12;H01L35/08 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 辛雪花;周艳玲 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 绝缘 路基 制造 方法 热电 转换 模块 | ||
1.一种绝缘电路基板的制造方法,所述绝缘电路基板具备陶瓷基板及配设于该陶瓷基板的一个面且具有电路图案的电路层,所述制造方法的特征在于,
所述电路层具有配设于所述陶瓷基板的一个面的铝层及形成于该铝层的与所述陶瓷基板相反侧的面的钛层,
所述制造方法具备:
陶瓷-铝接合工序,将铝材接合于所述陶瓷基板来形成铝层;
钛材配设工序,在所述铝层或所述铝材的表面以所述电路图案的形状配设成为钛层的钛材;
钛层形成工序,以在所述铝层或所述铝材的表面层叠了所述钛材的状态进行热处理,从而形成所述钛层;及
蚀刻处理工序,将形成有所述钛层的所述铝层蚀刻成所述电路图案的形状,
而且,在所述钛材配设工序之前具备:Si稠化层形成工序,通过在所述铝层或所述铝材中的形成所述钛层的一侧的面配设含有Si的Si材料来进行加热处理,由此在所述铝层或所述铝材中的形成所述钛层的一侧的面形成以0.03质量%以上且1.0质量%以下的范围内含有Si的Si稠化层。
2.根据权利要求1所述的绝缘电路基板的制造方法,其特征在于,
所述电路层具有层叠于所述钛层的与所述铝层相反侧的面且由铜或铜合金、镍或镍合金或者银或银合金构成的金属部件层,
所述制造方法在所述蚀刻处理工序之后具备:金属部件层形成工序,在形成为电路图案的形状的所述钛层的表面形成所述金属部件层。
3.根据权利要求2所述的绝缘电路基板的制造方法,其特征在于,
在所述金属部件层形成工序之前具备:钛层清洗工序,对所述钛层的表面进行清洗。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的绝缘电路基板的制造方法,其特征在于,
在所述陶瓷-铝接合工序之后,实施所述钛材配设工序及所述钛层形成工序。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的绝缘电路基板的制造方法,其特征在于,
在所述钛层形成工序之后,实施所述陶瓷-铝接合工序。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的绝缘电路基板的制造方法,其特征在于,同时实施所述钛层形成工序与所述陶瓷-铝接合工序。
7.根据权利要求1至3中任一项所述的绝缘电路基板的制造方法,其特征在于,
在所述钛材配设工序之前具备:铝清洗工序,对所述铝层或所述铝材的表面进行清洗。
8.一种绝缘电路基板,其具备陶瓷基板及配设于该陶瓷基板的一个面且具有电路图案的电路层,所述绝缘电路基板的特征在于,
所述电路层具有配设于所述陶瓷基板的一个面的铝层及形成于该铝层的与所述陶瓷基板相反侧的面的钛层,
在所述铝层的所述钛层侧的界面,形成有Si的含量被设定为0.03质量%以上且1.0质量%以下的范围内的Si稠化层,在所述铝层与所述钛层的接合界面,形成有Si固溶于Al3Ti而成的Al-Ti-Si层。
9.一种热电转换模块,其特征在于,
在权利要求8所述的绝缘电路基板的所述电路层上搭载有热电元件。
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