[发明专利]半导体模块

权利要求书

1.一种半导体模块，其特征在于，具备：

半导体芯片；

冷却部，其内部具有供制冷剂通过的制冷剂通过部；以及

层叠基板，具有比所述冷却部更靠近所述半导体芯片的第一金属布线层、比所述半导体芯片更靠近所述冷却部的第二金属布线层和设置于所述第一金属布线层与所述第二金属布线层之间的绝缘体，

所述冷却部具有：

顶板，靠近所述层叠基板而设置；

底板，与所述顶板对置而设置；以及

多个突起部，设置在所述底板的与所述制冷剂通过部接触的面上，在所述制冷剂的从上游朝向下游的流动方向上相互分开，并在所述制冷剂通过部的与所述流动方向正交的宽度方向上各自连续地设置以使各个突起部的所述宽度方向上的长度大于所述流动方向上的长度，

所述多个突起部至少设置在与所述第二金属布线层的在所述流动方向上的一端重叠的位置和与所述半导体芯片重叠的位置。

2.根据权利要求1所述的半导体模块，其特征在于，

所述第二金属布线层设置在所述顶板上，

所述绝缘体设置在所述第二金属布线层的上方，

所述第一金属布线层设置在所述绝缘体的上方，

所述半导体芯片设置在所述第一金属布线层上。

3.根据权利要求1所述的半导体模块，其特征在于，

在所述多个突起部中的两个突起部中，设置在靠近所述下游的位置的突起部的高度比设置在靠近所述上游的位置的突起部的高度高。

4.根据权利要求2所述的半导体模块，其特征在于，

在所述多个突起部中的两个突起部中，设置在靠近所述下游的位置的突起部的高度比设置在靠近所述上游的位置的突起部的高度高。

5.根据权利要求1~4中任一项所述的半导体模块，其特征在于，

所述多个突起部中的设置在靠近所述下游的位置的相邻的两个突起部的间隔比所述多个突起部中的设置在靠近所述上游的位置的相邻的两个突起部的间隔窄。

6.根据权利要求1~4中任一项所述的半导体模块，其特征在于，

所述多个突起部分别具有与来自所述上游的所述制冷剂的流体面对的前表面，

在所述多个突起部中的两个突起部中，设置在靠近所述下游的位置的突起部的所述前表面的相对于所述底板的倾斜角度比设置在靠近所述上游的位置的突起部的所述前表面的相对于所述底板的倾斜角度大。

7.根据权利要求1或2所述的半导体模块，其特征在于，

所述冷却部具有：

上方制冷剂通过部，在从所述底板朝向所述顶板的高度方向上设置在相对地靠近所述第二金属布线层的位置，且具有所述多个突起部；以及

下方制冷剂通过部，在所述高度方向上与所述上方制冷剂通过部重叠地设置在所述上方制冷剂通过部的下方，且具有所述多个突起部。

8.根据权利要求7所述的半导体模块，其特征在于，

所述上方制冷剂通过部中的所述多个突起部与所述下方制冷剂通过部中的所述多个突起部在所述高度方向上不重叠。

9.根据权利要求7所述的半导体模块，其特征在于，

所述上方制冷剂通过部中的所述多个突起部与所述下方制冷剂通过部中的所述多个突起部在所述高度方向上分别重叠。

10.根据权利要求7所述的半导体模块，其特征在于，

所述上方制冷剂通过部与所述层叠基板进行热交换，

所述上方制冷剂通过部与所述下方制冷剂通过部进行热交换。