[发明专利]用于检测及分析分子的集成装置

权利要求书

1.一种集成装置，其包括：

一基板；

一表面，其具有自该表面的一部分凹入的一沟槽区域；

一阵列的样本井，其安置于该沟槽区域中，其中该阵列的样本井的一样本井被配置以接收一样本；

一波导，其被配置以使激发能耦合至该阵列中之至少一个样本井，且被定位于自该沟槽区域之一表面的一第一距离处及自与该沟槽区域分离的一区域中之该表面的一第二距离处，其中该第一距离小于该第二距离；以及

多个金属层，其被配置以支持多个电信号，其中该多个金属层的第一金属层以比该波导面向基板的一侧更远离该基板的距离定位。

2.根据权利要求1所述的集成装置，其中该第一距离在150纳米与600纳米之间。

3.根据权利要求1或2所述的集成装置，其中该第二距离在250纳米与2000纳米之间。

4.根据权利要求1或2所述的集成装置，其中该样本井在距该波导小于300纳米之一距离处具有一表面。

5.根据权利要求1或2所述的集成装置，其中该集成装置进一步包括至少一个光栅耦合器，其被配置以接收来自与该集成装置分离之一激发源的激发能，且导引激发能至该波导。

6.根据权利要求5所述的集成装置，其中该集成装置进一步包括一反射器，其被配置以反射激发能朝向该至少一个光栅耦合器。

7.根据权利要求5所述的集成装置，其中该集成装置进一步包括一分裂器结构，其被配置以接收来自该至少一个光栅耦合器的激发能，且导引激发能至多个波导。

8.根据权利要求7所述的集成装置，其中该分裂器结构包含至少一个多模式干扰分裂器。

9.根据权利要求7所述的集成装置，其中该分裂器结构包含一星形耦合器。

10.根据权利要求7所述的集成装置，其中该分裂器结构包含一切片光栅耦合器。

11.根据权利要求5所述的集成装置，其中该波导在垂直于沿该波导之光传播方向的一方向上具有一渐缩尺寸，使得该尺寸在接近于该光栅耦合器的一位置处大于在一远端位置处。

12.根据权利要求1或2所述的集成装置，其中该样本井包含形成于该样本井之一侧壁之至少一部分上的一侧壁间隔件。

13.根据权利要求12所述的集成装置，其中接近于该波导的该样本井之一表面被配置以依不同于该侧壁间隔件的方式来与该样本相互作用。

14.根据权利要求1或2所述的集成装置，其中该集成装置进一步包括形成于该沟槽区域之一底部表面上的一金属堆叠，使得该金属堆叠具有一开口，其与该阵列之一样本井的一孔重叠。

15.根据权利要求14所述的集成装置，其中该金属堆叠包含铝层及氮化钛层，且该铝层接近于该波导。

16.根据权利要求1或2所述的集成装置，其中该波导包含氮化硅。

17.根据权利要求1或2所述的集成装置，该集成装置进一步包括一感测器，其被配置以接收由定位于该样本井中之该样本发射的发射能。