[发明专利]固体电解质组合物、以及含固体电解质的片材、全固态二次电池、电极片及它们的制造方法

权利要求书

1.一种固体电解质组合物，其包含：

无机固体电解质A，具有属于周期表第1族或第2族的金属的离子的传导性；分散介质B，LogP值为0.2以上1.2以下；及分散介质C，LogP值为2以上，所述分散介质C相对于所述分散介质B的质量比C/B为1000≥C/B≥50,

所述LogP值为通过PerkinElmer,Inc.制造的ChemBioDraw的Version：12.9.2.1076来计算的值。

2.根据权利要求1所述的固体电解质组合物，其中，

所述分散介质B为酮化合物、腈化合物、含卤素化合物、构成环的杂原子为氮原子或硫原子的杂环化合物、或碳酸酯化合物。

3.根据权利要求1或2所述的固体电解质组合物，其中，

所述分散介质B为酮化合物、构成环的杂原子为氮原子或硫原子的杂环化合物、或含卤素化合物，所述分散介质C为烃化合物或芳香族化合物。

4.根据权利要求1或2所述的固体电解质组合物，其中，

所述分散介质B为构成环的杂原子为氮原子或硫原子的杂环化合物。

5.根据权利要求1或2所述的固体电解质组合物，其中，

所述分散介质B与所述分散介质C以所述质量比混合。

6.根据权利要求1或2所述的固体电解质组合物，其含有聚合物粒子D。

7.根据权利要求1或2所述的固体电解质组合物，其中，

所述无机固体电解质A由下述式(1)表示：

L_a1M_b1P_c1S_d1A_e1式(1)，

式中，L表示选自Li、Na及K的元素，M表示选自B、Zn、Sn、Si、Cu、Ga、Sb、Al以及Ge的元素，A表示I、Br、Cl、F，a1～e1表示各元素的组成比，a1:b1:c1:d1:e1满足1～12:0～5:1:2～12:0～10。

8.根据权利要求6所述的固体电解质组合物，其中，

所述聚合物粒子D不溶于所述分散介质B及所述分散介质C。

9.根据权利要求1或2所述的固体电解质组合物，其包含能够嵌入脱嵌属于周期表第1族或第2族的金属的离子的活性物质E。

10.根据权利要求9所述的固体电解质组合物，其中，

所述活性物质E为金属氧化物。

11.根据权利要求1或2所述的固体电解质组合物，其含有导电助剂。

12.根据权利要求1或2所述的固体电解质组合物，其含有锂盐。

13.根据权利要求1或2所述的固体电解质组合物，其含有离子液体。

14.一种含固体电解质的片材，其中，

在基材上具有权利要求1至13中任一项所述的固体电解质组合物的涂布干燥层。

15.一种全固态二次电池用电极片，其中，

在金属箔上具有权利要求9或10所述的固体电解质组合物的涂布干燥层。

16.一种全固态二次电池，其具备正极活性物质层、负极活性物质层及固体电解质层，其中，

所述正极活性物质层、负极活性物质层及固体电解质层中的至少任1层为权利要求1至13中任一项所述的固体电解质组合物的涂布干燥层。

17.一种含固体电解质的片材的制造方法，其包括在基材上配置权利要求1至13中任一项所述的固体电解质组合物并形成涂膜的工序。