[发明专利]量子点发光器件

权利要求书

1.一种量子点发光器件，其包含i)由选自由以下组成的组的半导体材料制成的至少一种半导体纳米颗粒的发射层：II-VI族化合物、II-V族化合物、III-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物、II-IV-VI族化合物、II-IV-V族化合物或其任何组合；和ii)用于空穴注入层或空穴传输层的聚合物，其中所述聚合物包含作为聚合单元的至少一种具有第一单体结构的单体，所述第一单体结构包含a)可聚合基团，所述可聚合基团选自乙烯基、三氟乙烯基醚、肉桂酸酯、查耳酮、二烯、乙氧基乙炔和3-乙氧基-4-甲基环丁-2-烯酮；b)具有式NAr¹Ar²Ar³的电活性基团，其中Ar¹、Ar²和Ar³独立地为C₆-C₅₀芳香族取代基；和(c)连接所述可聚合基团和所述电活性基团的连接基团。

2.根据权利要求1所述的量子点发光器件，其中所述聚合物的分子量为至少5,000，并且不大于10,000,000。

3.根据权利要求1所述的量子点发光器件，其中具有式NAr¹Ar²Ar³的所述电活性基团含有以下：

4.根据权利要求1所述的量子点发光器件，其中所述聚合物进一步包含选自以下的第二单体：

5.根据权利要求1所述的量子点发光器件，其中所述连接基团选自由以下组成的组：共价键；-O-；-亚烷基-；-亚芳基-；-亚烷基-亚芳基-；-亚芳基-亚烷基-；-O-亚烷基-；-O-亚芳基-；-O-亚烷基-亚芳基-；-O-亚烷基-O-；-O-亚烷基-O-亚烷基-O-；-O-亚芳基-O-；-O-亚烷基-亚芳基-O-；-O-(CH₂CH₂-O)_n-，其中n为2至20的整数；-O-亚烷基-O-亚烷基-；-O-亚烷基-O-亚芳基-；-O-亚芳基-O-；-O-亚芳基-O-亚烷基-；和-O-亚芳基-O-亚芳基。

6.根据权利要求1所述的量子点发光器件，其中所述聚合物进一步包含p-掺杂剂。

7.根据权利要求1所述的量子点发光器件，其中所述半导体纳米颗粒掺杂有稀土元素、过渡金属元素或其任何组合。

8.根据权利要求1所述的量子点发光器件，其中所述半导体纳米颗粒具有核-壳结构，其中在所述半导体纳米颗粒的内部的外侧上涂覆额外材料，并且所述额外材料选自由以下组成的组：IV组化合物、II-VI族化合物、II-V族化合物、III-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物、II-IV-VI族化合物、II-IV-V族化合物或其任何组合。

9.根据权利要求1所述的量子点发光器件，其中所述半导体纳米颗粒具有长度为100纳米或更小的至少一个维度。

10.根据权利要求1所述的量子点发光器件，其中所述半导体纳米颗粒包含一维纳米颗粒，所述一维纳米颗粒在任一端或每一端设置有与所述一维纳米颗粒接触的单个端盖或多个端盖。