[发明专利]用于获取高温工艺应用中的测量参数的封装仪器化衬底设备有效
申请号: | 201780034833.1 | 申请日: | 2017-06-14 |
公开(公告)号: | CN109314066B | 公开(公告)日: | 2021-01-15 |
发明(设计)人: | 梅·孙;厄尔·詹森;景·周;刘冉 | 申请(专利权)人: | 科磊股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/67 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 张世俊 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 获取 高温 工艺 应用 中的 测量 参数 封装 仪器 衬底 设备 | ||
一种设备包含:仪器衬底设备;衬底组合件,其包含机械地耦合的底部衬底及顶部衬底;电子组合件;嵌套包壳组合件,其包含外包壳及内包壳,其中所述外包壳围封所述内包壳且所述内包壳围封所述电子组合件;绝缘介质,其位于所述内包壳与所述外包壳之间;及传感器组合件,其通信地耦合到所述电子组合件,所述传感器组合件包含安置在所述衬底组合件内的一或多个位置处的一或多个传感器,其中所述电子组合件经配置以从所述一或多个传感器接收一或多个测量参数。
本申请案根据35U.S.C.§119(e)主张2016年6月15日申请的任命孙梅(Mei Sun)、厄尔·简森(Earl Jensen)、周静(Jing Zhou)及刘冉(Ran Liu)为发明人、标题为用于高温EPI工艺的无线传感器晶片(WIRELESS SENSOR WAFER FOR HIGH TEMPERATURE EPIPROCESSES)的第62/350,688号美国临时专利申请案的优先权,所述申请案的全文以引用的方式并入本文中。
技术领域
本发明大体上涉及沿半导体工艺线监测晶片,且特定来说,涉及一种允许在高温下操作的多级包壳组合件。
背景技术
随着半导体装置处理环境中的工艺条件的容限不断变窄,对改善工艺监测系统的需求不断增加。处理系统(例如,外延室)内的热均匀性是一种此条件。当前方法不能在当前处理技术所需的极端条件(例如,高温)下监测温度而不污染相关联室。因此,将期望提供一种允许使用仪器化晶片进行高温测量以监测半导体装置处理线的条件的系统及方法。
发明内容
揭示一种根据本发明的一或多个实施例的用于获取高温工艺应用中的测量参数的设备。在一个实施例中,所述设备包含衬底组合件,所述衬底组合件包含底部衬底及顶部衬底。在另一实施例中,所述顶部衬底机械地耦合到所述底部衬底。在另一实施例中,所述设备包含电子组合件。在另一实施例中,所述设备包含嵌套包壳组合件,所述嵌套包壳组合件包含外包壳及内包壳。在另一实施例中,所述外包壳围封所述内包壳。在另一实施例中,所述内包壳至少围封所述电子组合件。在另一实施例中,绝缘介质经安置在所述内包壳的外表面与所述外包壳的内表面之间的腔内。在另一实施例中,所述设备包含传感器组合件,所述传感器组合件通信地耦合到所述电子组合件。在另一实施例中,所述传感器组合件包含一或多个传感器。在另一实施例中,所述一或多个传感器经安置在所述衬底组合件内跨所述衬底组合件的一或多个位置处。在另一实施例中,所述一或多个传感器经配置以在跨所述衬底组合件的所述一或多个位置处获取一或多个测量参数。在另一实施例中,所述电子组合件经配置以从所述一或多个传感器接收所述一或多个测量参数。
揭示一种根据本发明的一或多个实施例的用于获取高温工艺应用中的测量参数的设备。在一个实施例中,所述设备包含衬底组合件,所述衬底组合件包含底部衬底及顶部涂布层。在另一实施例中,所述设备包含电子组合件。在另一实施例中,所述设备包含嵌套包壳组合件,所述嵌套包壳组合件包含外包壳及内包壳。在另一实施例中,所述外包壳围封所述内包壳,其中所述内包壳至少围封所述电子组合件。在另一实施例中,绝缘介质经安置在所述内包壳的外表面与所述外包壳的内表面之间的腔内。在另一实施例中,传感器组合件通信地耦合到所述电子组合件,其中所述传感器组合件包含一或多个传感器。在另一实施例中,所述一或多个传感器经安置在所述衬底组合件的所述底部衬底上跨所述底部衬底的一或多个位置处,其中所述顶部涂布层至少涂布安置在所述底部衬底上的所述一或多个传感器。在另一实施例中,所述一或多个传感器经配置以在跨所述衬底组合件的所述一或多个位置处获取一或多个测量参数。在一个实施例中,所述电子组合件经配置以从所述一或多个传感器接收所述一或多个测量参数。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造