[发明专利]等离子体原子层生长装置及原子层生长方法

权利要求书

1.一种等离子体原子层生长装置，借由从放电空间的侧方供给气体以在基板上形成膜，其特征在于，具有：

第一电极，其保持所述基板；

第二电极，其与所述第一电极相对向，并且使得第二电极与所述第一电极之间产生等离子体放电；

绝缘支撑构件，其支撑所述第二电极；

防附着构件，其由在平面视角下与所述第二电极隔开间隔并包围着所述第二电极的绝缘体构成；

所述防附着构件在平面视角下是被配置成与所述绝缘支撑构件相重叠且较第一电极更上方，以防止膜堆积在所述绝缘支撑构件。

2.根据权利要求1所述的等离子体原子层生长装置，其特征在于，所述第二电极具有：

与所述第一电极相对向的表面；

与所述表面交叉的第一侧面；

位于所述第一侧面的相反侧的第二侧面；

与所述表面及所述第一侧面交叉的第三侧面；

位于所述第三侧面的相反侧的第四侧面；

所述防附着构件具有：

与所述第二电极的所述第一侧面相对向的第一部位；

与所述第二电极的所述第二侧面相对向的第二部位；

与所述第二电极的所述第三侧面相对向的第三部位；

与所述第二电极的所述第四侧面相对向的第四部位；

所述第二电极的所述表面从所述防附着构件露出。

3.根据权利要求2所述的等离子体原子层生长装置，其特征在于，所述第一部位、所述第二部位、所述第三部位及所述第四部位是一体形成。

4.根据权利要求2所述的等离子体原子层生长装置，其特征在于，所述防附着构件包括有与所述第一部位对应的第一部件、与所述第二部位对应的第二部件、与所述第三部位对应的第三部件及与所述第四部位对应的第四部件。

5.根据权利要求2所述的等离子体原子层生长装置，其特征在于，所述第一部位为具有第一水平部位与第一垂直部位的L字形状；所述第二部位为具有第二水平部位与第二垂直部位的L字形状；所述第三部位为具有第三水平部位与第三垂直部位的L字形状；所述第四部位为具有第四水平部位与第四垂直部位的L字形状。

6.根据权利要求5所述的等离子体原子层生长装置，其特征在于，所述等离子体原子层生长装置具有固定所述防附着构件的固定部，且所述防附着构件与所述固定部是通过所述第一垂直部位与所述固定部的第一连接部、所述第二垂直部位与所述固定部的第二连接部、所述第三垂直部位与所述固定部的第三连接部及所述第四垂直部位与所述固定部的第四连接部而相连接的。

7.根据权利要求1所述的等离子体原子层生长装置，其特征在于，所述等离子体原子层生长装置具有非活性气体供给部，该非活性气体供给部将非活性气体供给至所述第二电极与所述防附着构件之间的间隙中。

8.根据权利要求7所述的等离子体原子层生长装置，其特征在于，所述防附着构件被固定于所述非活性气体供给部。

9.根据权利要求7所述的等离子体原子层生长装置，其特征在于，在平面视角下，所述防附着构件被配置成与所述非活性气体供给部相重叠。

10.根据权利要求7所述的等离子体原子层生长装置，其特征在于，在所述防附着构件与所述非活性气体供给部之间形成有所述非活性气体流动的非活性气体供给路径。

11.根据权利要求10所述的等离子体原子层生长装置，其特征在于，所述非活性气体供给路径具有：

第一非活性气体供给路径，其使所述非活性气体向着靠近所述第二电极的方向流动；

第二非活性气体供给路径，其使所述非活性气体向着远离所述第二电极的方向流动。