[发明专利]电力用半导体装置

权利要求书

1.一种电力用半导体装置，包括：

金属层；

半导体元件，经由焊料层接合到所述金属层；以及

线材凸块，设置于所述焊料层中，并与所述金属层接合，

在所述线材凸块与所述焊料层的界面具有所述线材凸块的材料和所述焊料层的材料的合金，

所述线材凸块是在其两端具有与所述金属层的接合部的接合线，

所述接合部是楔焊接合部，

在楔焊接合部之间，所述接合线在所述金属层还具有多个缝焊接合部，所述楔焊接合部与所述缝焊接合部的间隔以及相邻的所述缝焊接合部的间隔分别为2mm以下。

2.一种电力用半导体装置，包括：

金属层；

半导体元件，经由焊料层接合到所述金属层；以及

线材凸块，设置于所述焊料层中，并与所述金属层接合，

在所述线材凸块与所述焊料层的界面具有所述线材凸块的材料和所述焊料层的材料的合金，

所述线材凸块是在其两端具有与所述金属层的接合部的接合线，

所述线材凸块的长度方向与将所述半导体元件垂直投影到所述金属层上得到的矩形形状的半导体元件搭载区域的对角线以大于0°且90°以下的角度交叉。

3.根据权利要求1或2所述的电力用半导体装置，其特征在于，

所述金属层是绝缘基板的表面的导体层，

所述线材凸块设置于所述导体层上。

4.根据权利要求1或2所述的电力用半导体装置，其特征在于，

所述线材凸块的热导率大于所述焊料层的热导率。

5.根据权利要求3所述的电力用半导体装置，其特征在于，

在将所述半导体元件垂直投影到所述导体层上得到的矩形形状的半导体元件搭载区域中，在所述半导体元件搭载区域的四角分别设置有所述线材凸块。

6.根据权利要求5所述的电力用半导体装置，其特征在于，

所述线材凸块的长度方向与所述半导体元件搭载区域的对角线正交。

7.根据权利要求5所述的电力用半导体装置，其特征在于，

在所述半导体元件搭载区域中还设置有所述线材凸块。

8.一种电力用半导体装置，其特征在于，包括：

底板；

多个线材凸块，设置于所述底板上；

绝缘基板，载置于所述线材凸块上，至少在背面具有导体层；以及

焊料层，将所述绝缘基板的所述导体层接合到所述底板上，

其中，在所述线材凸块与所述焊料层的界面形成有包括所述线材凸块的材料和所述焊料层的材料的合金，

所述线材凸块具有：

楔焊接合部，所述线材凸块的两端被楔焊接合于所述导体层而成；以及

多个缝焊接合部，在所述楔焊接合部之间，接合线被缝焊接合于所述导体层而成，

所述楔焊接合部与所述缝焊接合部的间隔以及相邻的所述缝焊接合部的间隔分别为2.0mm以下。

9.一种电力用半导体装置，其特征在于，包括：

底板；

多个线材凸块，设置于所述底板上；

绝缘基板，载置于所述线材凸块上，至少在背面具有导体层；以及

焊料层，将所述绝缘基板的所述导体层接合到所述底板上，

其中，在所述线材凸块与所述焊料层的界面形成有包括所述线材凸块的材料和所述焊料层的材料的合金，

所述线材凸块的长度方向与将所述导体层垂直投影到所述底板上得到的矩形形状的导体层搭载区域的对角线以大于0°且90°以下的角度交叉。

10.根据权利要求8或9所述的电力用半导体装置，其特征在于，

所述线材凸块的热导率大于所述焊料层的热导率。