[发明专利]传感器装置、用于校准传感器装置的方法和用于检测测量参量的方法

权利要求书

1.一种传感器装置（800），其具有以下特征：

具有至少一个缺陷（105）的晶体（810）；

用于用激励光（210）照射所述晶体（810）的光源（820）；

至少一个用于给所述晶体（810）加载微波（430）的微波天线（830；1030）；

用于探测所述晶体（810）的荧光信号（220）的至少一个信号特性的探测装置（840、850、855）；和

施加装置（860、870、880），其被构造用于将用于产生所述微波（430）的微波信号和用于生成内部磁场（B_mod）的磁场信号（I_mod）施加到所述至少一个微波天线（830；1030）上，其中能够利用所述内部磁场加载所述晶体（810）。

2.根据权利要求1所述的传感器装置（800），具有根据以下权利要求之一所述的控制设备（890），其中所述控制设备（890）有信号传输能力地与所述光源（820）、所述探测装置（840、850、855）和所述施加装置（860、870、880）可连接或连接。

3.根据前述权利要求之一所述的传感器装置（800），具有至少一个用于引起至少一个另外的内部磁场的电线圈（1030），其中所述至少一个另外的内部磁场具有另外的场方向，所述另外的场方向与所述内部磁场（B_mod）的场方向不同。

4.根据前述权利要求之一所述的传感器装置（800），其中所述施加装置（860）具有微波源（870）、电流源（880）和/或用于最小化所述微波源（870）和所述电流源（880）的相反影响的电过滤器，其中所述电流源（880）被构造用于将直流电或交流电作为磁场信号（I_mod）注入到所述至少一个微波天线（830；1030）中。

5.用于校准传感器装置（800）的方法（2000），其中所述传感器装置（800）具有：具有至少一个缺陷（105）的晶体（810）；用于用激励光（210）照射所述晶体（810）的光源（820）；至少一个用于给所述晶体（810）加载微波（430）的微波天线（830；1030）；和用于探测所述晶体（810）的荧光信号（220）的至少一个信号特性的探测装置（840、850、855）；其中所述方法（2000）至少具有以下步骤：

将用于产生所述微波（430）的微波信号施加（2010）到所述至少一个微波天线（830；1030）上；

将用于生成内部磁场（B_mod）的磁场信号（I_mod）施加（2020）到所述至少一个微波天线（830；1030）上，其中能够利用所述内部磁场加载所述晶体（810）；和

在使用响应于所述内部磁场（B_mod）的荧光信号（220）的情况下在所述微波（430）的频谱内确定（2030）至少一个微波频率，在该微波频率下出现预先定义的信号特性，以便产生校准数据以用于在检测测量参量中使用。

6.根据权利要求5所述的方法（2000），具有在使用所述荧光信号（220）的情况下在所述频谱内求取至少一个参考频率的步骤（2040），在该参考频率下出现参考信号特性，其中求取的步骤（2040）在施加磁场信号（I_mod）的步骤（2020）之前实施，其中在确定的步骤（2030）中计算在所述内部磁场（B_mod）影响下的所述至少一个参考频率与所述至少一个微波频率之间的至少一个位移值。

7.根据权利要求5至6之一所述的方法（2000），其中在施加磁场信号（I_mod）的步骤（2020）中施加适合于生成周期性变化的内部磁场（B_mod）的磁场信号（I_mod）。