[发明专利]电子倍增器的改进有效
申请号: | 201780035489.8 | 申请日: | 2017-06-08 |
公开(公告)号: | CN109661713B | 公开(公告)日: | 2021-11-23 |
发明(设计)人: | W.谢尔斯;K.亨特 | 申请(专利权)人: | 艾德特斯解决方案有限公司 |
主分类号: | H01J43/18 | 分类号: | H01J43/18;H01J43/10;H01J43/04;H01J43/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 张凌苗;刘春元 |
地址: | 澳大利亚新*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子倍增器 改进 | ||
1.一种离子检测器,包括用于放大由离子与电子发射表面的碰撞引起的电子信号的设备,所述设备包括:
第一电子发射表面,其被配置成接收输入离子并由此发射一个或多个二次电子,
一系列第二和后续电子发射表面,其被配置成从由所述第一电子发射表面发射的所述一个或多个二次电子形成放大的电子信号,所述一系列第二和后续电子发射表面包括末端电子发射表面和剩余电子发射表面,所述末端电子发射表面是与被配置成接收所述放大的电子信号的电子的阳极最接近的表面,以及
一个或多个电源,其被配置成向所述一系列第二和后续电子发射表面中的一个或多个施加偏置电压,所述偏置电压足以形成所述放大的电子信号,
其中,所述设备被配置成使得在使用中以及当所述离子检测器接收到输入离子时,所述一系列第二和后续电子发射表面中的末端电子发射表面被允许汲取所述一系列第二和后续电子发射表面的剩余电子发射表面的电流至少10倍高的电流。
2.根据权利要求1所述的离子检测器,包括第一电源和至少第二电源,电源中的每一个被配置成独立地向(i)不同的电子发射表面和/或(ii)不同的电子发射表面组施加偏置电压。
3.根据权利要求1或2所述的离子检测器,其中,所述发射表面中的至少两个是分立发射表面。
4.根据权利要求1或2所述的离子检测器,其中,所述发射表面中的每一个是分立发射表面。
5.根据权利要求3所述的离子检测器,其中,所述分立发射表面是分立打拿极。
6.根据权利要求1或2所述的离子检测器,其中,所述发射表面中的至少一个是连续发射表面。
7.根据权利要求6所述的离子检测器,其中,所述连续发射表面是连续打拿极。
8.根据权利要求2所述的离子检测器,其中,发射表面中的至少两个是分立发射表面,并且其中,所述第二电源被配置成仅向末端的12、11、10、9、8、7、6、5、4、3、2或1个分立发射表面施加偏置电压,并且所述第一电源被配置成仅向剩余分立发射表面施加偏置电压。
9.根据权利要求6所述的离子检测器,包括第一电源和第二电源,其中,所述第二电源被配置成将偏置电压施加到发射表面的末端的约50%、45%、40%、35%、30%、25%、20%、15%、10%或5%,并且所述第一电源被配置成将偏置电压施加到所述发射表面的剩余部分。
10.根据权利要求1或2所述的离子检测器,还包括第一电源以及还有第二电源、第三电源、第四电源或第五电源,其中,所述第一电源、第二电源、第三电源、第四电源或第五电源中的每一个被配置成向不同的电子发射表面或不同发射表面的组施加偏置电压。
11.根据权利要求2所述的离子检测器,其中,所述偏置电压根据以下方式施加:
最不负偏置电压被施加到最末端的发射表面或发射表面组,
第二最不负偏置电压被施加到第二最末端的发射表面或发射表面组,
第三最不负偏置电压——如果存在的话——被施加到第三最末端的发射表面或发射表面组——如果存在的话,
第四最不负偏置电压——如果存在的话——被施加到第四最末端的发射表面或发射表面组——如果存在的话,以及
第五最不负偏置电压——如果存在的话——被施加到第五最末端的发射表面或发射表面组——如果存在的话。
12.根据权利要求1或2所述的离子检测器,包括第一电源和第二电源,所述第一电源和所述第二电源中的每一个被配置成向(i)不同的电子发射表面和/或(ii)不同组的电子发射表面独立地施加偏置电压,其中,由所述电源中的每一个供电的每个电路具有泄放电流,并且由所述第二电源供电的电路的泄放电流高于由所述第一电源供电的电路的泄放电流。
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