[发明专利]磁阻抗传感器有效
申请号: | 201780035624.9 | 申请日: | 2017-05-31 |
公开(公告)号: | CN109313242B | 公开(公告)日: | 2021-06-11 |
发明(设计)人: | 山本道治;长尾知彦;岩永吉广 | 申请(专利权)人: | 爱知制钢株式会社 |
主分类号: | G01R33/02 | 分类号: | G01R33/02;H01L43/00 |
代理公司: | 上海华诚知识产权代理有限公司 31300 | 代理人: | 肖华 |
地址: | 日本国爱知县*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 磁阻 传感器 | ||
本发明提供一种能够进一步提高外部磁场的测定精度的磁阻抗传感器。本发明的磁阻抗传感器具备磁阻抗元件(2)、检测电路(3)、感磁体用线路(4)及导电层用线路(5)。磁阻抗元件(2)具备感磁体(20)和与该感磁体(20)相邻的导电层(21)。感磁体(20)和导电层(21)中流通方向相反的电流。感磁体用线路(4)电性连接于感磁体(20),导电层用线路(5)电性连接于导电层(21)。磁阻抗元件(2)的检测线圈(22)与检测电路(3)经由检测用导线(8(8a、8b))电性连接在一起。感磁体用线路(4)和导电层用线路(5)这2条线路(4、5)构成为至少一部分相邻而且流通方向相反的电流(I)。
技术领域
本发明涉及一种具备磁阻抗元件和连接于该磁阻抗元件的检测电路的磁阻抗传感器。尤其涉及一种能够大幅改善外部磁场的测定精度的磁阻抗传感器。
背景技术
以往有具备磁阻抗元件(以下也记作MI元件)和连接于该MI元件的检测电路的磁阻抗传感器(以下也记作MI传感器)。所述MI元件具备由非晶丝构成的感磁体和缠绕在该感磁体上的检测线圈。所述检测电路连接于MI元件的所述检测线圈。
在所述MI传感器中,为了检测外部磁场而在感磁体中流通脉冲电流等电流。在该电流随时间发生了大幅变化时,检测线圈中会产生与作用于感磁体的外部磁场的强度相对应的电压。MI传感器构成为通过所述检测电路检测该电压、由此算出外部磁场的强度。
MI传感器作为测定精度高的磁力传感器而为人所知,但用户的要求越来越严格,业界期望研究进一步提高测定精度。因此,对以下的误差因素所导致的测定精度降低的可能性进行了研究。即,当感磁体中流通电流时,该电流的周围会产生磁场而作用于检测线圈。当所述电流随时间发生变化时,作用于检测线圈的磁场随时间发生变化,从而与外部磁场的强度完全无关地在检测线圈中产生感应电压。因此,检测线圈的输出电压中重叠了感应电压,该影响有可能成为测定误差的原因而导致外部磁场的测定精度降低。因此,为了进一步提高测定精度,认为必须对用以减小该测定误差的原因的对策进行详细研究。
作为该问题的对策,提出有下述专利文献1记载的方法。该文献中记载有一种MI元件,其特征在于,隔着绝缘层以导电层覆盖感磁体,在感磁体的轴向上的一端利用连接部将感磁体与导电层电性连接。如此一来,电流在感磁体内从所述轴向上的另一端侧流至一端侧,其后,通过所述连接部而在导电层内从一端侧流至另一端侧。因此,感磁体中流通的电流的方向与导电层中流通的电流的方向相反,从而能将因这些电流而产生的磁场相互抵消。因而,产生自感磁体的磁场不易作用于检测线圈,检测线圈中不易产生感应电压。因此,容易准确地测定外部磁场。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:国际公开第2009/044820号
发明内容
发明要解决的问题
然而,经过进一步的详细研究,结果得知,所述对策有时未必能充分提高外部磁场的测定精度。即,所述检测线圈与检测电路经由一对检测用导线连接在一起。此外,MI传感器中设置有将感磁体与电源相连的感磁体用线路和将导电层与电源相连的导电层用线路。但是,所述MI传感器虽然考虑到了因感磁体自身当中流通的电流而产生的磁场的影响,但对于充分减少感磁体用线路中流通的电流所引起的磁场和导电层用线路中流通的电流所引起的磁场这一内容未作研究,这些磁场有可能作用于所述一对检测用导线而在该检测用导线中产生感应电压。因此得知,检测线圈的输出电压中有可能重叠感应电压而未必能够充分提高外部磁场的测定精度。
本发明是鉴于这种背景而成,提供一种能够进一步提高外部磁场的测定精度的磁阻抗传感器。
解决问题的技术手段
本发明的一形态为一种磁阻抗传感器,其特征在于,具备:
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