[发明专利]用于晶片的共晶键合的方法和晶片复合体

权利要求书

1.用于晶片的共晶键合的方法，所述方法具有以下步骤：

(a)提供具有第一键合层(310)的第一晶片(10)和具有第二键合层(320)并且具有间距保持件(400)的第二晶片(20)，

(b)将所述第一晶片(10)叠置在所述第二晶片(20)上，其中，在第一温度(T1)的情况下所述间距保持件(400)贴靠在所述第一键合层(310)上，

(c)将所述第一晶片(10)和所述第二晶片(20)以压紧力(500)相对彼此挤压直至所述第一键合层(310)贴靠在所述第二键合层(320)上，其中，所述间距保持件(400)挤入到所述第一键合层(310)中，

(d)通过至少由所述第一键合层(310)的部分和所述第二键合层(320)的部分形成共晶体(350)并且由此形成晶片复合体来使所述第一晶片(10)与所述第二晶片(20)共晶键合。

2.根据权利要求1所述的用于晶片的共晶键合的方法，其特征在于，在所述步骤(b)之后并且在所述步骤(c)之前的步骤(e)中对所述第一晶片(10)和所述第二晶片(20)在靠近共晶温度(TE)的温度(T4、T7)的情况下进行温度处理。

3.根据权利要求2所述的用于晶片的共晶键合的方法，其特征在于，

-在所述步骤(e)中对所述第一晶片(10)和所述第二晶片(20)在靠近所述共晶温度(TE)的第四温度(T4)的情况下进行温度处理，并且

-随后将所述第一晶片(10)和所述第二晶片(20)冷却到第五温度(T5)，该第五温度低于所述第四温度(T4)但高于所述第一温度(T1 )。

4.根据权利要求2所述的用于晶片的共晶键合的方法，其特征在于，

-在所述步骤(e)中对所述第一晶片(10)和所述第二晶片(20)在靠近所述共晶温度(TE)的第七温度(T7)的情况下进行温度处理并且直至步骤(d)保持在所述第七温度(T7)。

5.根据前述权利要求1至4中任一项所述的用于晶片的共晶键合的方法，其特征在于，

-在所述步骤(a)中提供具有所述第一键合层(310)的所述第一晶片(10)，其中，所述第一键合层(310)布置在键合区域(100)和支撑区域(200)中；

-在所述步骤(a)中提供具有所述第二键合层(320)的所述第二晶片(20)，其中，所述第二键合层(320)布置在所述键合区域(100)和所述支撑区域(200)中，其中，所述间距保持件(400)布置在所述支撑区域中；

-在所述步骤(c)中将所述第一晶片(10)和所述第二晶片(20)相对彼此挤压直至所述第一键合层(310)既在所述键合区域(100)中也在所述支撑区域(200)中贴靠在所述第二键合层(320)上；

-在所述步骤(d)中既在所述键合区域(100)中也在所述支撑区域(200)中形成所述共晶体(350)。

6.根据权利要求5所述的用于晶片的共晶键合的方法，其特征在于，所述间距保持件(400)沉入到所述共晶体(350)中。

7.根据前述权利要求1至4中任一项所述的用于晶片的共晶键合的方法，其特征在于，

-在所述步骤(a)中提供具有所述第一键合层(310)的所述第一晶片(10)，其中，所述第一键合层(310)布置在键合区域(100)和支撑区域(200)中；

-在所述步骤(a)中提供具有所述第二键合层(320)的所述第二晶片(20)，其中，所述第二键合层(320)布置在所述键合区域(100)中，其中，所述间距保持件(400)布置在所述支撑区域中；

-在所述步骤(c)中将所述第一晶片(10)和所述第二晶片(20)相对彼此挤压直至所述第一键合层(310)在所述键合区域(100)中贴靠在所述第二键合层(320)上；并且

-在所述步骤(d)中在所述键合区域(100)中形成所述共晶体(350)。

8.根据权利要求7所述的用于晶片的共晶键合的方法，其特征在于，所述间距保持件(400)被压入到所述第一键合层(310)中。