[发明专利]氧化硅系负极材料及其制造方法有效
| 申请号： | 201780036498.9 | 申请日： | 2017-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN109417168B | 公开（公告）日： | 2021-11-26 |
| 发明（设计）人： | 柏谷悠介 | 申请（专利权）人： | 株式会社大阪钛技术 |
| 主分类号： | H01M4/485 | 分类号： | H01M4/485;C01B33/027;C01B33/12;H01M4/36;H01M4/38 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 朴圣洁;王珍仙 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化 负极 材料 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种氧化硅系负极材料，其为用SiLixOy表示平均组成的粉末，满足0.05＜x＜y＜1.2及平均粒径1μm以上且20μm以下，
并且，当随机抽取10个该粉末粒子，并在各个粒子中测量从最表面起深度50nm的位置中的Li浓度L1和从最表面起深度400nm的位置中的Li浓度L2时，L1/L2在任一粒子中均满足0.8＜L1/L2＜1.2，并且L2的标准偏差为0.1以下，
所述Li浓度L1及所述Li浓度L2能够通过Li光谱强度与Si光谱强度之比来相对求出，所述Li光谱强度与Si光谱强度之比是通过进行粉末粒子的截面TEM观察并在各自的确定的深度位置中进行EELS测量而得到的比。
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