[发明专利]在石墨烯薄片上沉积钝化层

权利要求书

1.一种用于产生具有石墨烯传感器表面的石墨烯凹孔的方法，所述方法包括：

在衬底上放置石墨烯薄片；

在所述石墨烯薄片之上沉积第一金属层；

在所述第一金属层之上沉积钝化层；

在所述钝化层之上沉积光致抗蚀剂层；

利用辐射选择性地暴露所述光致抗蚀剂层；

蚀刻所述光致抗蚀剂层以暴露所述钝化层的表面；

移除所述钝化层的所选择部分；并且

暴露所述石墨烯传感器表面的所选择区域。

2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括在所述第一金属层与所述钝化层之间沉积第二金属层。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一金属层包括金。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一金属层包括钌、铑、钯、银、锇、铱或铂。

5.根据权利要求2所述的方法，其中所述第二金属层包括钛、铝、铬、镍或氮化钛。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述钝化层包括电介质层。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述电介质层包括二氧化硅、氮化硅、氧化硅、非晶硅或多晶硅。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述光致抗蚀剂层的所述蚀刻包括施加丙酮冲洗和施加异丙醇冲洗。

9.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括通过干式蚀刻技术移除所述钝化层。

10.根据权利要求1所述的方法，其中沉积所述钝化层包括应用等离子增强化学气相沉积工艺。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述沉积所述钝化层包括利用范围从100℃到200℃的温度的沉积工艺。

12.一种用于产生具有石墨烯传感器表面的石墨烯凹孔的方法，所述方法包括：

在衬底上放置石墨烯薄片；

在所述石墨烯薄片之上沉积第一金属层以提供热保护且防止氧化；

在所述第一金属层之上沉积钝化层；

沉积所述钝化层以完全覆盖金属触点引线；

在所述钝化层之上沉积光致抗蚀剂层；

在所述光致抗蚀剂层上蚀刻图案以暴露所述钝化层的表面；

根据蚀刻到所述光致抗蚀剂层上的图案对所述钝化层图案化；

蚀刻掉所述钝化层的部分以暴露所述金属触点引线的部分，使得所述金属触点引线暴露于发生化学和生物感测的环境，其中对所述钝化层的区域图案化包括暴露所述石墨烯传感器表面的所选择区域以暴露所述石墨烯传感器。

13.根据权利要求12所述的方法，其进一步包括在所述第一金属层与所述钝化层之间沉积第二金属层。

14.根据权利要求12所述的方法，其中所述第一金属层包括金、钌、铑、钯、银、锇、铱或铂。

15.根据权利要求13所述的方法，其中所述第二金属层包括钛、铝、铬、镍或氮化钛。

16.根据权利要求12所述的方法，其中所述钝化层包括二氧化硅、氮化硅、氧化硅、非晶硅或多晶硅。

17.根据权利要求12所述的方法，其中所述钝化层包括利用范围从100℃到200℃的温度的沉积工艺。