[发明专利]组合物

说明书

本发明涉及一种组合物，其中，在介质中分散有具有钙钛矿型晶体结构的化合物，所述具有钙钛矿型晶体结构的化合物以A、B、X及M作为构成成分，且M的摩尔数量除以M及B的合计摩尔数量所得的摩尔比[M/(M+B)]的值为0.7以下。(A是在上述钙钛矿型晶体结构中位于以B为中心的六面体的各顶点处的铯离子、有机铵离子或脒鎓离子。B是铅离子。M是六配位的离子半径为以上且以下的2价或3价的金属元素的阳离子。X表示在上述钙钛矿型晶体结构中位于以B为中心的八面体的各顶点处的成分，其是选自Cl^‑、Br^‑、F^‑、I^‑及SCN^‑中的1种以上的阴离子)。

技术领域

本发明涉及组合物。

本申请基于2016年6月24日在日本申请的日本特愿2016-126046号而要求优先权，将其内容援引于此。

背景技术

一直以来，已知具有包含有机物的阳离子、卤化物离子及2价金属离子的有机-无机钙钛矿型晶体结构的化合物。近年来，对于具有在金属离子的位置具有第14族元素(Ge、Sn及Pb)的离子的钙钛矿型晶体结构的化合物的导电性及发光特性的关注不断提高。

尤其在上述2价金属离子为Pb(II)的情况下，在从紫外区域到红色的光谱区域的范围内观察到室温下的强发光现象(非专利文献1)。另外，还能够根据卤化物离子的种类来调整发光波长(非专利文献2)。

现有技术文献

非专利文献

非专利文献1：M.Era，A.Shimizu和M.Nagano，Rep.Prog.Polym.Phys.Jpn.，42,473-474(1999)

非专利文献2：L.Protesescu，S.Yakunin，M.I.Bodnarchuk，F.Krieg，R.Caputo，C.H.Hendon，R.X.Yang，A.Walsh，和M.V.Kovalenko，Nano Letter.15,3692-3696(2015)

发明内容

发明要解决的课题

然而，为了将如上述非专利文献1或2中记载那样的具有钙钛矿型晶体结构的化合物作为发光材料进行产业应用，要求上述化合物的量子收率的进一步提高。

本发明是鉴于上述课题而完成的发明，其目的在于，提供包含量子收率高且具有钙钛矿型晶体结构的化合物的组合物。

用于解决课题的手段

为了解决上述课题，本发明人等进行了深入研究，结果完成了以下的本发明。

即，本发明的实施方式包含下述[1]～[6]的发明。

[1]一种组合物，其中，在介质中分散有具有钙钛矿型晶体结构的化合物，所述具有钙钛矿型晶体结构的化合物以A、B、X及M作为构成成分，且M的摩尔数量除以M及B的合计摩尔数量所得的摩尔比[M/(M+B)]的值为0.7以下。

(A是在上述钙钛矿型晶体结构中位于以B为中心的六面体的各顶点处的铯离子、有机铵离子或脒离子。B是铅离子。M是六配位的离子半径为以上且以下的2价或3价的金属元素的阳离子，M的至少一部分在上述钙钛矿型晶体结构中置换B的一部分。X表示在上述钙钛矿型晶体结构中位于以B为中心的八面体的各顶点处的成分，其是选自氯化物离子、溴化物离子、氟化物离子、碘化物离子及硫氰酸根离子中的1种以上的阴离子。)

[2]根据[1]所述的组合物，其中，上述M为碱土金属元素的阳离子或稀土元素的阳离子。

[3]根据[1]或[2]所述的组合物，其中，上述M为钙离子或铈离子。

[4]根据[1]～[3]中任一项所述的组合物，其中，上述A为有机铵离子。