[发明专利]单晶硅的制造方法

权利要求书

1.一种单晶硅的制造方法，其利用单晶提拉装置并使用切克劳斯基法来进行，所述单晶提拉装置具备：

腔室；

坩埚，配置于该腔室内；

加热部，通过对所述坩埚进行加热而生成硅熔液中添加有掺杂剂的掺杂剂添加熔液；及

提拉部，使籽晶与所述掺杂剂添加熔液接触之后进行提拉，

所述加热部具备：上加热部，对所述坩埚的侧面的上部进行加热；及下加热部，对所述坩埚的侧面的下部进行加热，

所示单晶硅的制造方法的特征在于，具备：

颈部形成工序，形成所述单晶硅的颈部；

肩部形成工序，形成所述单晶硅的肩部；及

直体部形成工序，形成所述单晶硅的直体部，

在所述颈部形成工序中，在以所述下加热部的加热量除以所述上加热部的加热量的加热比成为1以上且1.5以下的方式对所述坩埚进行了加热的状态下，使所述籽晶与所述掺杂剂添加熔液接触，

在所述肩部形成工序中，在形成中的所述肩部的直径成为所述直体部的设定直径的一半以上的时刻之前，一边使所述坩埚以14rpm以上的转速旋转一边以所述加热比从1以上且1.5以下的规定的值变大的方式对所述坩埚进行加热，在所述时刻以后，以所述加热比成为2以上的方式对所述坩埚进行加热而形成所述肩部。