[发明专利]用无汞基紫外光处理流体的系统

权利要求书

1.一种处理流体的系统，包括：

- 容器，所述容器布置为接收一定量的流体；

- 容纳在容器内的第一UV光源，所述第一UV光源是基于无汞场发射的UV光源；以及

- 可操作地与第一UV光源相关联的电源，所述电源布置为向第一UV光源提供电力，以使用第一UV光源处理腔室内接收的流体量，

其中，调适第一UV光源在紫外线C（UVC）光谱内发光，其波长范围与汞基UV光源所发射的光相比具有更高的上限范围。

2.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述第一UV光源配置为发射约265 nm的辐射。

3.根据权利要求1和2中任意一项所述的系统，其特征在于，所述第一UV光源配置为发射240 nm至320 nm波长范围内的辐射。

4.根据权利要求1和2中任意一项所述的系统，其特征在于，所述第一UV光源配置为发射240 nm至400 nm波长范围内的辐射。

5.根据前面权利要求中任意一项所述的系统，其特征在于，基于场发射的UV光源包括光转换材料，所述光转换材料布置为接收电子并发射UV光。

6.根据权利要求6所述的系统，其特征在于，所述光转换材料选自LaPO₄:Pr³⁺、LuPO₃:Pr³⁺、Lu₂Si₂O₇:Pr³⁺、YBO₃:Pr³⁺或者YPO₄:Bi³⁺或者相似光转换材料中的至少一种。

7.根据权利要求6所述的系统，其特征在于，所述光转换材料为磷光体材料。

8.根据权利要求1-4中任意一项所述的系统，其特征在于，所述第一UV光源包括至少一种UVC发光二极管（LED）。

9.根据前面权利要求中任意一项所述的系统，其特征在于，还包括与电源可操作地相关联的第二UV光源，其中，第二UV光源为汞基UV光源。

10.根据权利要求19所述的系统，其特征在于，所述第二UV光源包括低压HG-灯。

11.根据权利要求9和10中任意一项所述的系统，其特征在于，所述第二UV光源配置为发射约254 nm的辐射。

12.根据权利要求9-11中任意一项所述的系统，其特征在于，所述电源配置为基于预定条件选择性地激活第一UV光源。

13.根据权利要求9-12中任意一项所述的系统，其特征在于，所述第一和第二UV光源基本上同时被激活。

14.根据权利要求11所述的系统，其特征在于，所述预定条件为由系统所处理的流体的预定消毒需求。

15.根据前面权利要求中任意一项所述的系统，其特征在于，还包括用于测量容器内UV强度水平的传感器。

16.根据前面权利要求中任意一项所述的系统，其特征在于，所述第一和第二UV光源中的至少一个至少部分地延伸至由容器所接收的流体量中。

17.根据前面权利要求中任意一项所述的系统，其特征在于，所述容器分成第一和第二部分，所述第一部分持有第一UV光源，所述第二部分持有第二UV光源。

18.根据权利要求14-17中任意一项所述的系统，其特征在于，还包括控制单元，所述控制单元与传感器通信并配置为控制第一和第二UV光源的选择性激活。