[发明专利]成像元件、成像元件的制造方法以及电子设备

说明书

本公开涉及一种能够抑制光入射在电荷保持部上的背面照射型成像元件、成像元件的制造方法以及电子设备。所述成像元件设有：光电转换部；电荷保持部；半导体基板；配线层；绝缘膜层；第一遮光膜；和第二遮光膜。所述绝缘膜层、所述第一遮光膜和所述配线层从所述半导体基板的第二表面侧处按顺序层叠在所述第二表面上，所述第二表面是光入射到其上的第一表面的相对侧。所述第二遮光膜设有：第一遮光部，所述第一遮光部配置在所述光电转换部和所述电荷保持部之间并从所述半导体基板的第一表面延伸到所述半导体基板的中间位置；第二遮光部，所述第二遮光部配置在所述光电转换部和所述电荷保持部之间并贯穿所述半导体基板；和第三遮光部，所述第三遮光部覆盖所述半导体基板的第一表面的一部分。例如，本技术可以适用于CMOS图像传感器。

技术领域

根据本公开的技术涉及成像元件、成像元件的制造方法以及电子设备，特别地涉及包括电荷保持部的背面照射型成像元件、成像元件的制造方法以及包括该成像元件的电子设备。

背景技术

在具有全局快门功能的背面照射型CMOS图像传感器中，电荷保持部设置在半导体基板内。电荷保持部临时保持由光电转换部生成的电荷。在光进入电荷保持部的情况下，会产生不必要的电荷。因此，产生光学噪声而使图像质量劣化。鉴于这种情况，常规上进行了一项研究以减少进入电荷保持部的光。

例如，专利文献1公开了第一实施方案，其中在电荷保持部的表面中，顶表面和底表面被遮光膜覆盖。电荷保持部的顶表面位于半导体基板的光从其侧进入的入射面侧。底表面与顶表面相对。该构成不仅防止从半导体基板的入射面侧进入的光进入电荷保持部，而且防止从配线层反射的光进入电荷保持部，该配线层层叠在与半导体基板的入射面相对的表面上。

此外，专利文献1公开了第二实施方案，其中遮光膜覆盖电荷保持部的顶表面和侧表面，并且侧表面上的遮光膜的一部分贯穿半导体基板。该构成允许以更可靠的方式阻挡原本可能会进入电荷保持部的侧表面的光。

[引用文献列表]

[专利文献]

[专利文献1]：日本专利特开No.2013-65688

发明内容

[技术问题]

然而，在专利文献1的第一实施方案中，覆盖电荷保持部的侧表面的遮光膜仅延伸到半导体基板的中间。因此，不可能防止光进入侧表面的未被遮光膜覆盖的那部分。

此外，在专利文献1的第二实施方案中，电荷保持部的底表面未被遮光膜覆盖。因此，不可能防止从配线层反射的光进入电荷保持部。

鉴于前述内容，根据本公开的技术(在下文中也简称为本技术)能够减少进入包括电荷保持部的背面照射型成像元件中的电荷保持部的光。

[解决问题的方案]

根据本技术第一方面的成像元件包括：光电转换部；电荷保持部，所述电荷保持部被构造成保持由所述光电转换部生成的电荷；半导体基板，在所述半导体基板中形成有所述光电转换部和所述电荷保持部；配线层；绝缘膜层；第一遮光膜；和第二遮光膜。所述绝缘膜层、所述第一遮光膜和所述配线层从最靠近所述半导体基板的第二表面处按顺序层叠在所述第二表面上，所述第二表面与所述半导体基板的第一表面相对，所述第一表面位于所述半导体基板的受光侧。所述第二遮光膜包括：第一遮光部，所述第一遮光部配置在所述光电转换部和所述电荷保持部之间并从所述半导体基板的所述第一表面延伸到所述半导体基板的中间；第二遮光部，所述第二遮光部配置在所述光电转换部和所述电荷保持部之间并贯穿所述半导体基板；和第三遮光部，所述第三遮光部覆盖所述半导体基板的所述第一表面的一部分。

所述第一遮光部和所述第二遮光部可以在平行于所述第一表面的方向上彼此连接。

所述光电转换部的侧表面可以被所述第一遮光部和所述第二遮光部围绕。