[发明专利]有机薄膜晶体管、有机半导体膜、化合物、有机薄膜晶体管用组合物及有机薄膜晶体管的制造方法

说明书

本发明提供一种具备含有由特定式表示的化合物的有机半导体膜的有机薄膜晶体管、能够优选使用于该有机薄膜晶体管的有机半导体膜、化合物及有机薄膜晶体管用组合物、以及包括将上述有机薄膜晶体管用组合物涂布于基板上而形成有机半导体膜的工序的有机薄膜晶体管的制造方法。

技术领域

本发明是有关一种有机薄膜晶体管、有机半导体膜、化合物、有机薄膜晶体管用组合物及有机薄膜晶体管的制造方法。

背景技术

液晶显示器或有机电致发光显示器等显示器、或者RFID(radio frequencyidentifier：RF标签)或存储体等使用逻辑电路的装置等中利用晶体管。其中，具有有机半导体膜的有机薄膜晶体管能够轻量化或低成本化且挠性也优异，因此相对于具有无机半导体膜的无机晶体管，具备优越性。

作为形成上述有机半导体膜的有机化合物，例如可举出将酰亚胺基中的羰基的至少1个转换为硫代羰基的苝二酰亚胺(也称为硫化苝二酰亚胺)(专利文献1)。非专利文献1中记载有作为硫化苝二酰亚胺的合成原料的苝二酰亚胺的合成方法。

以往技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2011/082234号公报

非专利文献

非专利文献1：Chemical Communications,2012,48,p.7961-7963

发明内容

发明要解决的技术课题

上述显示器等的高性能化急速发展，搭载于该显示器的有机薄膜晶体管中要求初始性能(载流子迁移率)的提高。并且，上述显示器等中，为了响应低成本化或柔性化的要求，期望即使不设置特殊的保护层或密封层，也能在大气下稳定驱动，且维持高性能的特性(耐久性)。

然而，包含使用了专利文献1中记载的化合物的有机薄膜晶体管在内，以往的有机薄膜晶体管中具有在大气下性能大幅下降的倾向，从兼顾初始性能与耐久性的观点考虑，具有改善的余地。

用于解决技术课题的手段

本发明的课题在于提供一种即使在大气下也维持较高的载流子迁移率的有机薄膜晶体管、及其制造方法。并且，本发明的课题在于提供一种能够优选使用于示出上述特性的有机薄膜晶体管的有机半导体膜、化合物及有机薄膜晶体管用组合物。

本发明人重复进行深入研究的结果发现，在有机薄膜晶体管中，能够将后述的由特定式(1)表示的化合物优选用作有机半导体，而且通过使该化合物含于有机半导体膜，从而能够示出较高的载流子迁移率，在大气下也能够抑制其下降。本发明是基于以上见解，进一步重复研究而完成。

本发明的上述课题通过下述方案来解决。

＜1＞一种有机薄膜晶体管，其具备含有由下述式(1)表示的化合物的有机半导体膜。

[化学式1]

式(1)中，

A¹¹及A¹²分别独立地表示-O-、-N(R^N)-或-P(R^N)-。B¹¹～B¹⁸分别独立地表示-N＝或-C(R^M)＝，至少1个为-N＝。R^N及R^M表示氢原子或取代基。

X¹¹～X¹⁴分别独立地表示氧原子或硫原子。

＜2＞如＜1＞所述的有机薄膜晶体管，其中上述化合物由下述式(2)表示。

[化学式2]