[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底；

发光结构，在该发光结构的厚度方向上包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、设置在所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层之间的有源层、以及穿过所述第二导电半导体层和所述有源层、以及部分所述第一导电半导体层的多个凹槽；

多个第一电极，电连接到所述第一导电半导体层；以及

第二电极，电连接到所述第二导电半导体层，

其中，所述第一导电半导体层、所述第二导电半导体层和所述有源层分别包括铝，

其中，所述多个第一电极接触设置在所述多个凹槽的顶表面上的所述第一导电半导体层，

其中，所述第二电极接触所述第二导电半导体层，

其中，从所述有源层发射的光具有在100nm至320nm范围的主峰，

其中，在垂直于厚度方向的水平方向上，多个凹槽的总面积在发光结构的最大水平截面积的13％至30％的范围；

其中，所述第二电极与第二导电半导体层接触的区域在发光结构的最大水平截面积的35％至70％的范围。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述衬底包括多个侧表面，其中，所述凹槽的顶表面的直径在每一个所述衬底的侧表面的长度的3.8％至6％的范围。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述凹槽的顶表面的直径在38μm至60μm的范围。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述多个凹槽的数量是48到236。

5.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述多个第一电极与第一导电半导体层接触的区域在发光结构的最大水平截面积的7.4％至20％的范围。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述第二电极的顶表面的面积是所述第一电极的顶表面的面积的1.75倍至9.45倍。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括第一导电层，设置在所述发光结构和所述衬底之间，

其中，所述第一导电层包括多个连接电极，延伸到所述多个凹槽并连接到所述多个第一电极，

其中，所述多个连接电极分别延伸到所述多个凹槽，并且

其中，所述多个连接电极的数量是48到236。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，还包括第二导电层，设置在所述第二电极和所述第一导电层之间，

其中，所述第二导电层围绕所述第二电极，并且

其中，所述第二导电层包括与所述第二电极接触的区域和与第二导电半导体层接触的区域。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，还包括绝缘层，设置在所述第二导电层和所述第一导电层之间，

其中，所述绝缘层延伸到所述多个凹槽中，并且

其中，所述绝缘层包括设置在所述多个凹槽中的通孔。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述多个第一电极设置在所述通孔中。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，与所述多个凹槽的顶表面接触的所述绝缘层的一部分在水平方向上的宽度在11μm至28μm的范围。

12.根据权利要求8所述的半导体器件，还包括第二电极焊盘，设置在所述衬底上并与所述发光结构间隔开，

其中，所述第二电极焊盘电连接到所述第二导电层。

13.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，所述第二电极焊盘包括设置在所述第二电极焊盘上的槽，

其中，所述发光结构的顶表面包括图案。