[发明专利]多晶陶瓷衬底及其制造方法

权利要求书

1.一种制造实质平面的陶瓷衬底结构的方法，所述方法包括：

提供具有前表面的陶瓷衬底，所述陶瓷衬底的特征是具有多个空洞，并且所述陶瓷衬底包括多晶材料；

将所述陶瓷衬底封装在阻挡层中；

形成联接到所述陶瓷衬底的所述前表面上的所述阻挡层的键合层，所述键合层包括键合层材料；

移除所述键合层的一部分以暴露所述阻挡层的至少一部分并限定填充区域，所述填充区域在所述多个空洞的空间中填充有所述键合层材料；和

在暴露的所述阻挡层的至少一部分和所述填充区域上沉积第二键合层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述陶瓷衬底包括多晶氮化铝。

3.根据权利要求1所述的方法，其中移除所述键合层的一部分包括化学机械抛光CMP过程。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述CMP过程在所述阻挡层处终止。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述阻挡层包括氮化硅。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述陶瓷衬底的前表面的特征是具有50nm-600nm范围内的RMS粗糙度，并且所述第二键合层的特征是具有0.5nm-5nm范围内的RMS粗糙度。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述键合层包括氧化硅，并且所述第二键合层包括厚度在100nm和1,000nm之间的氧化硅层。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二键合层包括与所述键合层不同的材料。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述键合层包括氧化硅，并且所述第二键合层包括DLC。

10.根据权利要求1所述的方法，还包括：在移除所述键合层的一部分之后，形成第二阻挡壳，所述第二阻挡壳封装暴露的所述阻挡层和所述填充区域。

11.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述键合层包括重复一次或多次沉积/抛光循环。

12.如权利要求11所述的方法，其中重复的所述沉积/抛光循环包括沉积不同的材料。

13.如权利要求1所述的方法，还包括：

将实质单晶层接合到所述第二键合层，其中所述实质单晶层的特征是具有第一表面粗糙度；

处理所述实质单晶层以形成生长表面，其特征是具有小于所述第一表面粗糙度的第二表面粗糙度；和

形成联接到所述生长表面的外延层。

14.一种制造实质平面的陶瓷衬底结构的方法，所述方法包括：

提供具有前表面的陶瓷衬底，所述陶瓷衬底的特征是具有多个峰，并且所述陶瓷衬底包括多晶材料；

形成联接到所述陶瓷衬底的所述前表面的键合层，所述键合层包括键合层材料；

进行化学机械抛光CMP过程以移除所述键合层的一部分从而暴露所述陶瓷衬底的所述前表面的至少一部分，并且在所述陶瓷衬底的所述前表面上的所述多个峰的相邻峰之间限定填充区域，所述填充区域填充有所述键合层材料；和

将所述陶瓷衬底封装在阻挡层中。

15.根据权利要求14所述的方法，还包括在所述陶瓷衬底的所述前表面和所述键合层之间沉积粘附促进层。

16.根据权利要求14所述的方法，其中所述陶瓷衬底包括多晶氮化铝。

17.根据权利要求14所述的方法，还包括沉积联接到所述阻挡层的至少一部分的导电层。

18.根据权利要求14所述的方法，还包括沉积联接到所述阻挡层的至少一部分的导热层。