[发明专利]场发射装置和重整处理方法

权利要求书

1.一种电场放射装置，包括：

真空外壳，通过密封筒状绝缘体的两个端侧并且在所述绝缘体的内壁侧具有真空室而形成；

发射器，位于所述真空室的一个端侧，并且具有面向所述真空室的另一个端侧的电子生成部分；

保护电极，布置在所述发射器的所述电子生成部分的外周侧；

靶，位于所述真空室的所述另一个端侧，并且被设置成面向所述发射器的所述电子生成部分；

能移动的发射器支撑单元，具有在所述真空室的两端方向上能移动的能移动主体，并且通过所述能移动主体在所述真空室的两端方向上能移动地支撑所述发射器；以及

移动约束单元，约束所述能移动主体朝着所述两端方向的所述另一个端侧的移动，并且其中

所述发射器支撑单元被配置成通过所述发射器支撑单元的移动来改变所述发射器的所述电子生成部分和所述靶之间的距离，

在由所述移动约束单元约束所述能移动主体朝着所述真空室的所述另一个端侧的移动的情况下，由所述发射器的所述电子生成部分执行场发射，

所述移动约束单元具有：

突出部，在所述真空室的横断方向上从所述能移动主体的外周侧向外突出；以及

交叉部分，设置在相对于所述突出部的所述真空室的所述另一个端侧的位置处，并且在所述两端方向上与所述突出部交叉，并且

所述移动约束单元被配置成通过所述突出部与所述交叉部分的接触来约束所述能移动主体朝着所述真空室的所述另一个端侧的移动。

2.如权利要求1所述的电场放射装置，其中：

所述保护电极具有在所述真空室的两端方向上延伸的筒状形状，并且所述保护电极的一个端部由所述真空外壳支持，并且

所述交叉部分在所述真空室的横断方向上从所述保护电极的筒状内周侧向内突出。

3.如权利要求1所述的电场放射装置，其中：

在所述保护电极的靶侧和所述发射器的所述电子生成部分之间的距离变得最短状态下，所述移动约束单元约束所述能移动主体朝着所述真空室的所述另一个端侧的移动。

4.如权利要求2所述的电场放射装置，其中：

在所述保护电极的靶侧和所述发射器的所述电子生成部分之间的距离变得最短状态下，所述移动约束单元约束所述能移动主体朝着所述真空室的所述另一个端侧的移动。

5.如权利要求3所述的电场放射装置，其中：

在由所述移动约束单元约束所述能移动主体朝着所述真空室的所述另一个端侧的移动的状态下，所述保护电极的靶侧接触所述发射器的所述电子生成部分。

6.如权利要求4所述的电场放射装置，其中：

在由所述移动约束单元约束所述能移动主体朝着所述真空室的所述另一个端侧的移动的状态下，所述保护电极的靶侧接触所述发射器的所述电子生成部分。

7.如权利要求3至6中任一项所述的电场放射装置，其中：

所述保护电极在其靶侧设置有小直径部分。

8.如前述权利要求3至6中任一项所述的电场放射装置，其中：

所述保护电极在其靶侧设置有边缘部分，所述边缘部分在所述真空室的横断方向上延伸并且在所述真空室的两端方向上与所述发射器的所述电子生成部分的周缘部分重叠。

9.如前述权利要求1至6中任一项所述的电场放射装置，还包括：

波纹管，能够在所述真空室的两端方向上伸缩，并且其中

所述波纹管的一个端侧由所述发射器支撑单元支持，并且所述波纹管的另一个端侧由所述真空外壳支持。

10.如前述权利要求1至6中任一项所述的电场放射装置，其中：

所述能移动主体具有在所述发射器的所述电子生成部分的相对侧在所述真空室的两端方向上延伸的形状。

11.如前述权利要求1至6中任一项所述的电场放射装置，其中：

在所述真空室中的所述发射器和所述靶之间设置栅网电极。

12.如前述权利要求1至11中任一项所述的电场放射装置的再生处理方法，包括：

在所述发射器的所述电子生成部分和所述保护电极通过所述发射器支撑单元的操作而彼此分离的状态下跨所述保护电极施加电压；以及

对所述真空室中的至少所述保护电极执行再生处理。