[发明专利]多工器、高频前端电路及通信装置

权利要求书

1.一种多工器，具备：

共用端子、第1端子及第2端子；

第1滤波器，被配置在将所述共用端子与所述第1端子连结的第1路径上；和

第2滤波器，被配置在将所述共用端子与所述第2端子连结的第2路径上，通带的频率高于所述第1滤波器，

所述第1滤波器具有：

两个以上的串联谐振器，被配置在所述第1路径上；和

一个以上的并联谐振器，被配置在将所述第1路径与地线连结的路径上，

所述两个以上的串联谐振器及所述一个以上的并联谐振器的各谐振器具有：形成在具有压电体层的基板上的包含一对梳齿状电极的IDT电极及反射器，

所述两个以上的串联谐振器的各谐振器所具有的所述一对梳齿状电极分别由以下部件构成：

多个电极指，被配置为在弹性波传播方向的正交方向延伸；和

汇流条电极，将所述多个电极指各自的一端彼此连接，

将所述多个电极指各自的未与所述汇流条电极连接的另一端彼此连结的方向与所述弹性波传播方向交叉，

构成所述两个以上的串联谐振器的所述IDT电极由所述多个电极指之中所述另一端处的电极指宽度比电极指的延伸方向上的中央部处的电极指宽度宽的第1电极指、及所述另一端处的电极指宽度为电极指的延伸方向上的中央部处的电极指宽度以下的第2电极指的至少一方构成，

所述第2电极指在构成所述两个以上的串联谐振器之中最接近于所述共用端子的串联谐振器的所述多个电极指中所占的根数比率，高于所述第2电极指在其他串联谐振器所具有的所述多个电极指中所占的根数比率。

2.根据权利要求1所述的多工器，其中，

构成所述两个以上的串联谐振器之中最接近于所述共用端子的串联谐振器的所述第1电极指的根数，少于构成其他串联谐振器的所述第1电极指的根数。

3.根据权利要求1或2所述的多工器，其中，

所述两个以上的串联谐振器之中最接近于所述共用端子的串联谐振器的所述IDT电极不包含所述第1电极指，

所述其他串联谐振器的所述IDT电极包含所述第1电极指。

4.根据权利要求1或2所述的多工器，其中，

所述第1滤波器具有由所述两个以上的串联谐振器及所述一个以上的并联谐振器构成的梯型的滤波器构造。

5.根据权利要求1或2所述的多工器，其中，

所述第1滤波器还具有被配置在所述第1路径上的纵耦合型的滤波器构造。

6.根据权利要求1或2所述的多工器，其中，

所述基板具备：

压电体层，在一个主面上形成有所述IDT电极；

高声速支承基板，传播的体波声速与在所述压电体层中传播的弹性波声速相比为高速；和

低声速膜，被配置在所述高声速支承基板与所述压电体层之间，传播的体波声速与在所述压电体层中传播的弹性波声速相比为低速。

7.根据权利要求1或2所述的多工器，其中，

所述多工器由第1双工器及第2双工器构成，

所述第1双工器具备包含所述第1滤波器的两个滤波器，

所述第2双工器具备包含所述第2滤波器的两个滤波器。

8.根据权利要求1或2所述的多工器，其中，

所述第1滤波器的通带是长期演进LTE的Band3中的上行频带，

所述第2滤波器的通带是所述LTE的Band1中的上行频带。

9.一种高频前端电路，具备：

权利要求1～8的任意一项所述的多工器；和

放大电路，与所述多工器连接。

10.一种通信装置，具备：

RF信号处理电路，对由天线元件收发的高频信号进行处理；和

权利要求9所述的高频前端电路，在所述天线元件与所述RF信号处理电路之间传递所述高频信号。