[发明专利]半导体光器件的制造方法和半导体光器件有效
| 申请号： | 201780039013.1 | 申请日： | 2017-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN109314158B | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 山本淳平;生田哲也 | 申请（专利权）人： | 同和电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/30 | 分类号： | H01L33/30;H01L33/10 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体光器件的制造方法，其特征在于，具有如下工序：
第1工序，形成在InP生长用基板上层叠多层至少包含In和P的InGaAsP系III-V族化合物半导体层的半导体层叠体；
第2工序，在所述半导体层叠体上形成由III-V族化合物半导体构成的接触层；
第3工序，在所述接触层上的一部分形成欧姆金属部，并在所述接触层的表面留出露出区域；
第4工序，去除所述露出区域中的所述接触层直至所述半导体层叠体的表面露出，从而形成由所述欧姆金属部和所述接触层构成的接触部，并形成所述半导体层叠体的露出面；
第5工序，在所述半导体层叠体的所述露出面上的至少一部分形成电介质层；
第6工序，在所述电介质层和所述接触部上形成以Au为主要成分的金属反射层；
第7工序，将表面设有金属接合层的导电性支承基板夹着该金属接合层接合至所述金属反射层；和
第8工序，去除所述InP生长用基板，其中，
所述支承基板为导电性的Si基板，
所述半导体光器件以1000nm～2200nm的近红外区域为接收和发射光波长。
2.根据权利要求1所述的半导体光器件的制造方法，其还具有将所述导电性支承基板的厚度磨削至80μm以上且小于200μm的范围内的磨削工序。
3.根据权利要求1或2所述的半导体光器件的制造方法，其中，所述半导体层叠体依次包含n型包覆层、活性层以及p型包覆层，所述n型包覆层、所述活性层以及所述p型包覆层是由至少包含In和P的InGaAsP系III-V族化合物半导体构成的层。
4.根据权利要求3所述的半导体光器件的制造方法，其中，所述半导体层叠体具有双异质结构或多量子阱结构。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体光器件的制造方法，其中，所述电介质层由SiO2构成。
6.一种半导体光器件，其特征在于，具有：
导电性支承基板；
在该导电性支承基板的表面设置的金属接合层；
在所述金属接合层上设置的金属反射层；
在所述金属反射层上设置的、层叠多层至少包含In和P的InGaAsP系III-V族化合物半导体层而成的半导体层叠体；和
在所述金属反射层和所述半导体层叠体之间并列设置的电介质层和接触部，
所述金属反射层的主要成分为Au，
所述导电性支承基板由导电性的Si基板构成，
所述半导体光器件以1000nm～2200nm的近红外区域为接收和发射光波长，
所述接触部由欧姆金属部和接触层构成，所述欧姆金属部在所述金属反射层上，所述接触层在所述欧姆金属部上、由III-V族化合物半导体构成。
7.根据权利要求6所述的半导体光器件，其中，所述导电性支承基板的厚度为80μm以上且小于200μm。
8.根据权利要求6或7所述的半导体光器件，其中，所述半导体层叠体依次包含n型包覆层、活性层以及p型包覆层，所述n型包覆层、所述活性层以及所述p型包覆层是由至少包含In和P的InGaAsP系III-V族化合物半导体构成的层。
9.根据权利要求8所述的半导体光器件，其中，所述半导体层叠体具有双异质结构或多量子阱结构。
10.根据权利要求6～9中任一项所述的半导体光器件，其中，所述电介质层由SiO2构成。
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