[发明专利]镁合金的晶粒细化剂及其制备方法以及镁合金的晶粒细化方法有效
申请号: | 201780039396.2 | 申请日: | 2017-07-06 |
公开(公告)号: | CN109475932B | 公开(公告)日: | 2021-02-26 |
发明(设计)人: | 裵俊皓;金夏植;柳凤善;任昌东;文秉岐;徐宗植;金英敏 | 申请(专利权)人: | 韩国机械研究院 |
主分类号: | B22D27/20 | 分类号: | B22D27/20;C22C1/05;C22C23/00;C22C1/04;C23C8/60 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 秦杰 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 镁合金 晶粒 细化 及其 制备 方法 以及 | ||
1.一种镁合金的晶粒细化剂,其具有SiC分散在铝基质中的结构,
所述镁合金的晶粒细化剂还包括金属管,所述金属管包围所述SiC分散在铝基质中而形成的结构。
2.根据权利要求1所述的镁合金的晶粒细化剂,其中,所述结构是通过对固相铝粉末和固相SiC粉末的混合粉末进行加压而形成的结构,所述铝基质是所述固相铝粉末通过固相扩散进行一体化而形成的。
3.根据权利要求2所述的镁合金的晶粒细化剂,其中,所述铝基质在不留下所述铝粉末的边界的情况下通过固相扩散而一体化地形成。
4.根据权利要求1所述的镁合金的晶粒细化剂,其中,所述金属管包括含有选自铝和镁中的至少一者的管。
5.根据权利要求1所述的镁合金的晶粒细化剂,其中,所述镁合金的晶粒细化剂的形状为棒状,所述镁合金的晶粒细化剂中SiC体积比大于20%。
6.一种镁合金的晶粒细化方法,其特征在于,通过在镁合金的溶解过程中添加镁合金的晶粒细化剂并进行铸造,使镁合金的平均粒径在50μm至80μm的范围内;
其中,所述镁合金的晶粒细化剂具有SiC分散在铝基质中的结构,所述镁合金的晶粒细化剂还包括金属管,所述金属管包围所述SiC分散在铝基质中而形成的结构。
7.根据权利要求6所述的镁合金的晶粒细化方法,其特征在于,所述镁合金的溶解过程包括包含Al和Mn的镁合金的溶解过程,在所铸造的镁合金的微观结构内形成有包含Al、Mn、Si和C的第二相。
8.根据权利要求7所述的镁合金的晶粒细化方法,其中,所述第二相的Al/Mn的重量比为1.3至1.6,平均粒径为3μm至15μm,所述第二相为多边形形状。
9.一种镁合金的晶粒细化剂制备方法,包括如下成型步骤:
通过对固相铝粉末和固相SiC粉末的混合粉末进行加压而使所述固相铝粉末通过固相扩散进行一体化以形成铝基质,并且使SiC分散在铝基质中;
将所述混合粉末装入并密封到金属管中;以及
将SiC分散在对密封的所述金属管进行加压以使所述固相铝粉末通过固相扩散进行一体化而形成的铝基质中。
10.根据权利要求9所述的镁合金的晶粒细化剂制备方法,其中,所述加压通过挤压工艺、等静压成型工艺、轧制工艺、注塑工艺、喷射成型工艺、冲击波成型工艺或磁脉冲成型工艺来实现。
11.根据权利要求9所述的镁合金的晶粒细化剂制备方法,其中,所述加压通过热等静压(HIP)工艺、爆炸成型来实现。
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