[发明专利]集成电路器件

权利要求书

1.一种集成电路器件，包括：

基底，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；

受保护电路，其设置于所述基底的所述第一表面；

保护层，其设置在所述基底内，并且设置在所述第一表面和所述第二表面之间，所述保护层配置成通过吸收透过所述基底射向所述受保护电路的激光辐射来保护所述受保护电路，所述保护层在整个所述基底上是连续的，所述保护层还配置成使得所述保护层的移除导致对所述受保护电路的物理损坏；及

中间电路，其突出到所述基底内且位于所述保护层与所述受保护电路之间，其中，对所述受保护电路的所述物理损坏是针对所述中间电路的物理损坏。

2.根据权利要求1所述的集成电路器件，其特征在于，所述集成电路器件还包括检测电路，所述检测电路配置成检测所述集成电路器件的能够指示所述保护层的移除的电特性变化，以及作为对检测到所述电特性变化的回应，致使所述受保护电路失效。

3.根据权利要求2所述的集成电路器件，其特征在于，所述电特性为电容。

4.根据权利要求2所述的集成电路器件，其特征在于，所述检测电路包括DRAM单元或双极晶体管。

5.根据权利要求2所述的集成电路器件，其特征在于，所述集成电路器件还包括突出到所述基底内且位于所述保护层与所述受保护电路之间的中间检测电路。

6.根据权利要求1所述的集成电路器件，其特征在于，所述保护层包括掺杂半导体。

7.根据权利要求6所述的集成电路器件，其特征在于，所述掺杂半导体具有至少为10¹⁹cm^-3的掺杂浓度。

8.根据权利要求6所述的集成电路器件，其特征在于，所述掺杂半导体具有至少为10²⁰cm^-3的掺杂浓度。

9.根据权利要求6所述的集成电路器件，其特征在于，所述掺杂半导体具有至少为5×10²⁰cm^-3的掺杂浓度。

10.根据权利要求6所述的集成电路器件，其特征在于，所述掺杂半导体具有至少为10²¹cm^-3的掺杂浓度。

11.根据权利要求1所述的集成电路器件，其特征在于，所述保护层具有少于或等于40％的激光辐射透过率。

12.根据权利要求1所述的集成电路器件，其特征在于，所述保护层具有少于或等于20％的激光辐射透过率。

13.根据权利要求1所述的集成电路器件，其特征在于，所述保护层具有少于或等于15％的激光辐射透过率。

14.根据权利要求1所述的集成电路器件，其特征在于，所述保护层具有少于或等于10％的激光辐射透过率。

15.根据权利要求1所述的集成电路器件，其特征在于，所述保护层具有少于或等于5％的激光辐射透过率。

16.根据权利要求1所述的集成电路器件，其特征在于，所述保护层具有少于或等于2％的激光辐射透过率。

17.根据权利要求1所述的集成电路器件，其特征在于，所述激光辐射为红外辐射。

18.根据权利要求1所述的集成电路器件，其特征在于，所述保护层具有小于所述基底的激光辐射透过率的激光辐射透过率。

19.一种集成电路器件，包括：

位于基底上的受保护电路；

位于所述基底内的材料，所述材料配置成通过吸收透过所述基底射向所述受保护电路的激光辐射来保护所述受保护电路，所述材料在整个所述基底上是连续的；及

突出到所述基底内的中间电路，所述集成电路器件配置成使得从所述基底移除所述材料导致会使所述受保护电路失效的物理损坏，其中，会使所述受保护电路失效的所述物理损坏是针对所述中间电路的物理损坏。