[发明专利]薄膜光伏器件及相关制造方法

权利要求书

1.一种呈半透明光伏板形式的薄膜光伏器件(100)，其包括：

-基板(10)，

-至少第一导电薄膜，其在所述基板上形成光伏器件的第一电触头(1)，

-设置在所述第一电触头上的吸收器(3)，

-至少第二导电薄膜，其在所述基板上形成光伏器件的第二电触头(2)，

-设置在所述吸收器上的透明导电层(5)，

所述第二电触头与所述第一电触头间隔开，所述透明导电层与所述吸收器和所述第二电触头接触。

2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述第二电触头(2)和所述第一电触头(1)按照交错的方式构造。

3.根据前述权利要求中任一项所述的器件，其特征在于，所述第二电触头(2)包括所述第一电触头(1)的每一层。

4.根据前述权利要求中任一项所述的器件，其特征在于，所述吸收器(3)覆盖所述第一电触头(1)的侧面和上面。

5.根据前述权利要求中任一项所述的器件，其特征在于，所述第二电触头(2)进一步包括选自以下材料的材料：316L不锈钢、含Fe-Cr-Ni-Mo、Ni-Mo-P、MoO₂、ZnO、SnO₂的合金、铝掺杂ZnO、氟掺杂氧化锡FTO、含碳和锰的钢、基于钴和磷的化合物。

6.根据前述权利要求中任一项所述的器件，其特征在于，所述光伏器件(100)是聚光器件。

7.制造呈半透明光伏板形式的薄膜光伏器件(100)的方法，其包括：

-形成至少第一导电薄膜，所述第一导电薄膜在基板(10)上形成光伏器件的第一电触头(1)，

-形成至少第二导电薄膜，所述第二导电薄膜在基板上形成光伏器件的第二电触头(2)，

-在所述第一电触头上沉积吸收器(3)，

-在所述吸收器上沉积透明导电层(5)，

所述第二电触头与所述第一电触头隔开，所述透明导电层与所述吸收器和所述第二电触头接触。

8.根据权利要求7所述的方法，进一步包括：

-通过刻蚀所述第一电触头(1)形成第二导电薄膜层。

9.根据权利要求7或8中任一项所述的方法，进一步包括：

-形成第一电触头和第二电触头，以便以交错的方式构造第二电触头(2)和第一电触头(1)。

10.根据权利要求7至9中任一项所述的方法，进一步包括：

-形成第一电触头和第二电触头，以使第二电触头(2)与第一电触头(1)相隔一定距离，该距离大致等于或大于吸收器(3)的厚度。

11.根据权利要求7至10中任一项所述的方法，其特征在于：

-在第一电触头(1)上沉积吸收器(3)，进一步包括：

通过在电沉积、蒸发、油墨印刷之中选择的技术在第一电触头上沉积吸收器的前体材料(30)，

把在硒与硫中选择的材料合并到前体材料中。

12.根据权利要求7至11中任一项所述的方法，进一步包括：

-在第二电触头(2)上形成在硒化或硫化过程中稳定的耐腐蚀的导电材料(4)。

13.根据权利要求12所述的方法，进一步包括：

-通过以下技术中选择的技术形成在硒化或硫化过程中稳定的耐腐蚀的导电材料：电沉积、在第二电触头的导电层的氧化气体中热氧化、第二电触头的导电层的电化学氧化。

14.根据权利要求12至13中任一项所述的方法，进一步包括：

-通过加磷，处理在硒化或硫化过程中稳定的耐腐蚀的导电材料(4)。

15.根据权利要求7至14中任一项所述的方法，进一步包括：

-在退火步骤之后，在第二电触头上沉积导电层(14)。