[发明专利]气体阻隔性膜的制造方法

权利要求书

1.一种气体阻隔性膜的制造方法，包括使用组合物通过等离子体化学气相蒸镀法在基材上形成气体阻隔层的步骤，所述组合物含有选自Sn、Pt和Au中的至少一种金属元素0.1～10μg/L以及有机硅氧烷化合物。

2.根据权利要求1所述的气体阻隔性膜的制造方法，其中，所述有机硅氧烷化合物在分子内具有Si－O－Si结构。

3.根据权利要求2所述的气体阻隔性膜的制造方法，其中，所述有机硅氧烷化合物为环状硅氧烷化合物。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的气体阻隔性膜的制造方法，其中，所述组合物中的金属元素的量为2～5μg/L。

5.根据权利要求1～3中任一项所述的气体阻隔性膜的制造方法，其中，利用等离子体CVD装置进行基于所述等离子体化学气相蒸镀法的气体阻隔层的形成，所述等离子体CVD装置具有在内部具备磁场产生部的对置辊电极。

6.根据权利要求4所述的气体阻隔性膜的制造方法，其中，利用等离子体CVD装置进行基于所述等离子体化学气相蒸镀法的气体阻隔层的形成，所述等离子体CVD装置具有在内部具备磁场产生部的对置辊电极。