[发明专利]用于保护半导体开关的方法、半导体开关的保护设备和半导体开关的控制电路有效

专利信息
申请号: 201780040707.7 申请日: 2017-03-09
公开(公告)号: CN109417384B 公开(公告)日: 2022-07-22
发明(设计)人: T.里希特;P.辛;S.莱希;M.海尔 申请(专利权)人: 罗伯特·博世有限公司
主分类号: H03K17/082 分类号: H03K17/082
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 姬亚东;申屠伟进
地址: 德国斯*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 保护 半导体 开关 方法 设备 控制电路
【权利要求书】:

1.一种用于可由驱动级(20)控制的半导体开关(1)的保护设备,具有:

过压探测器(11),其与所述半导体开关(1)的输出端电耦合并且被设计用于,当所述半导体开关(1)的输出端上的电压超过预先确定的阈值时提供过压信号;

限制元件(13),其被设计用于将由所述过压探测器(11)提供的过压信号限制到预先确定的持续时间上并且将时间上受限的过压信号提供在所述限制元件(13)的输出端子处;

激活电路(12),其被设计用于,当所述半导体开关(1)的驱动级(20)的输入端上存在预先确定的控制信号时释放所述过压探测器(11)和所述限制元件(13)之间的电连接;和

补偿电路(14),其与所述限制元件(13)的输出端子电耦合并且被设计用于根据由所述限制元件(13)在时间上限制的过压信号在所述半导体开关(1)的驱动级(20)的输入端上提供补偿信号,

其中所述激活电路(12)被设计用于根据在所述驱动级(20)的输入信号和所述驱动级(20)的输出信号之间的电压值的比较来释放所述过压探测器(11)和所述限制元件(13)之间的电连接。

2.根据权利要求1所述的保护设备,其中所述过压探测器(11)包括雪崩二极管或齐纳二极管。

3.根据权利要求1或2所述的保护设备,其中所述限制元件(13)包括高通滤波器。

4.根据权利要求1至2之一所述的保护设备,其中所述限制元件(13)包括RC元件。

5.根据权利要求1至2之一所述的保护设备,具有二极管,其布置在所述补偿电路(14)的输出端子和所述半导体开关(1)的控制端子之间。

6.一种用于半导体开关(1)的控制电路,具有:

驱动级(20),其具有输出端子和至少一个输入端子,所述驱动级被设计用于根据在所述输入端子上提供的输入信号在所述输出端子上提供所述半导体开关(1)的控制信号;和

根据权利要求1至5之一所述的用于半导体开关(1)的保护设备。

7.根据权利要求6所述的控制电路,其中所述驱动级(20)包括至少两个晶体管(T1,T2),它们分别以一个端子与所述驱动级(20)的输出端子电耦合。

8.一种用于保护可由驱动级(20)控制的半导体开关(1)的方法,具有以下步骤:

当在所述半导体开关(1)的一个端子上超过预先确定的电压时,提供(S1)过压信号;

在所述驱动级(20)的输入端上探测(S2)预先确定的控制信号;

当在所述驱动级(20)的输入端上探测到预先确定的控制信号时,释放(S3)过压信号;

将所释放的过压信号限制(S4)到最大的持续时间上;

根据时间上限制的过压信号在所述半导体开关(1)的驱动级(20)的输入端子上提供(S5)补偿信号,

其中根据在所述驱动级(20)的输入信号和所述驱动级(20)的输出信号之间的电压值的比较来释放所述过压信号。

9.根据权利要求8所述的方法,其中用于释放过压信号的步骤(S3)当在所述驱动级(20)的输入端上存在用于断开所述半导体开关(1)的控制信号时释放所述过压信号;并且

用于在驱动级(20)的输入端上提供补偿信号的步骤(S5)提供补偿信号,所述补偿信号被设计用于至少部分地控制所述半导体开关(1)。

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