[发明专利]用于曝光后烘烤的设备

权利要求书

1.一种基板处理设备，包含：

腔室主体，界定处理容积，其中所述处理容积的长轴线垂直地定向，且所述处理容积的短轴线水平地定向；

可移动的门，耦接到所述腔室主体；

第一电极，耦接到所述门，所述第一电极耦接到密封件和第一热源，其中当基板的前侧与所述处理容积相邻设置时，所述密封件被配置于所述基板的背侧；

第二电极，耦接到所述腔室主体和第二热源，所述第二电极至少部分地界定所述处理容积；

多个第一流体口，形成在与所述处理容积相邻的所述腔室主体的侧壁中；及

多个第二流体口，形成在与所述处理容积相邻的所述腔室主体的所述侧壁中并与所述多个第一流体口相对。

2.如权利要求1所述的设备，进一步包含：

背板，设置在所述第一电极与所述门之间。

3.如权利要求1所述的设备，进一步包含：

处理流体源，经由多个第一通道和所述多个第一流体口与所述处理容积流体连通。

4.如权利要求3所述的设备，进一步包含：

流体出口，经由多个第二通道和所述多个第二流体口与所述处理容积流体连通。

5.如权利要求3所述的设备，其中所述多个第一通道的21个通道形成在所述腔室主体中。

6.如权利要求4所述的设备，其中所述多个第二通道的21个通道形成在所述腔室主体中。

7.如权利要求1所述的设备，其中所述第一电极被配置为在其上真空吸附所述基板。

8.如权利要求7所述的设备，其中真空源与所述第一电极流体连通。

9.如权利要求1所述的设备，其中所述腔室主体由聚四氟乙烯形成。

10.如权利要求1所述的设备，其中所述多个第一流体口跨所述处理容积的直径而均匀地分布。

11.如权利要求10所述的设备，其中所述多个第二流体口跨所述处理容积的所述直径而均匀地分布。

12.如权利要求1所述的设备，其中所述处理容积的宽度在4.0mm与4.5mm之间。

13.如权利要求1所述的设备，其中所述密封件与对应于所述基板的外径的区域相邻而定位在所述第一电极上。

14.如权利要求1所述的设备，进一步包含：

第二密封件，邻近所述第一电极的外径而耦接到所述第一电极，其中所述第二密封件接触所述腔室主体的侧壁的表面。

15.如权利要求1所述的设备，进一步包含：

第三密封件，耦接到所述第二电极的外径，其中所述第三密封件被定位为与所述腔室主体的侧壁接触。

16.如权利要求10所述的设备，其中所述多个第一流体口的每个口的直径在3.0mm与3.5mm之间。

17.如权利要求11所述的设备，其中所述多个第二流体口的每个口的直径在3.0mm与3.5mm之间。

18.一种基板处理设备，包含：

腔室主体，界定处理容积，其中所述处理容积的长轴线垂直地定向，且所述处理容积的短轴线水平地定向；

可移动的门，耦接到所述腔室主体；

第一电极，耦接到所述门和第一热源，所述第一电极被配置为在其上支撑基板；

第二电极，耦接到所述腔室主体和第二热源，所述第二电极至少部分地界定所述处理容积；

第一O形环，耦接到所述第一电极，其中所述第一O形环被定位为与所述基板的背侧接触；

第二O形环，耦接到所述第二电极的外径，其中所述第二O形环被定位为与所述腔室主体的侧壁接触；

多个第一流体口，形成在与所述处理容积相邻的所述腔室主体的所述侧壁中；及

多个第二流体口，形成在与所述处理容积相邻的所述腔室主体的所述侧壁中并与所述多个第一流体口相对。