[发明专利]导电性支持构件及其制造方法

权利要求书

1.一种导电性支持构件，其由外周部和内周部构成：

外周部，其由Cu母相和分散在该Cu母相内且含有Cu-Zr系化合物的第二相构成，并且为Cu-xZr的合金组成，其中，x是Zr的原子％，且满足0.5≦x≦16.7，以及

内周部，其存在于所述外周部的内周侧，为含有Cu的金属，并且导电性比所述外周部高。

2.根据权利要求1所述的导电性支持构件，所述外周部中，所述Cu母相和所述第二相分离成2个相，且所述第二相中含有Cu₅Zr作为所述Cu-Zr系化合物。

3.根据权利要求1或2所述的导电性支持构件，所述外周部具有下述(1)～(4)中任一项以上的特征：

(1)在截面观察时，所述第二相的平均粒径D50为1μm～100μm的范围，

(2)所述第二相在外壳具有Cu-Zr系化合物相，在中心核部分包含Zr比所述外壳多的Zr相，

(3)作为所述外壳的Cu-Zr系化合物相具有粒子最外周与粒子中心之间的距离即粒子半径的40％～60％的厚度，

(4)作为所述外壳的Cu-Zr系化合物相的硬度以维氏硬度换算值计为MHv585±100，作为所述中心核的Zr相以维氏硬度换算值计为MHv310±100。

4.根据权利要求1或2所述的导电性支持构件，所述内周部由Cu金属、CuW合金、Al₂O₃-Cu即氧化铝分散铜、Cu-Cr系合金、Cu-Cr-Zr系合金中的一种以上形成，还可以含有不可避免的成分。

5.根据权利要求1或2所述的导电性支持构件，在所述外周部的更外侧的外周面上形成有比该外周部软质的被加工层。

6.根据权利要求1或2所述的导电性支持构件，在所述内周部形成有制冷剂流路。

7.根据权利要求1或2所述的导电性支持构件，所述导电性支持构件是用于焊接电极的臂部的构件，是夹在尖端电极和尖端保持件之间并保持该尖端电极的柄。

8.根据权利要求1或2所述的导电性支持构件，所述内周部的导电率为80％IACS以上，且以维氏硬度计为50～80MHv，

所述外周部的导电率为20％IACS以上，且包含以维氏硬度计为300MHv以上的Cu-Zr系化合物。

9.根据权利要求1或2所述的导电性支持构件，其中，外周部与内周部的半径方向的长度比为1:1～3:1的范围。

10.一种导电性支持构件的制造方法，其是由外周部和存在于所述外周部的内周侧且导电率比所述外周部高的内周部构成的导电性支持构件的制造方法，其包括：

烧结工序，配置含有Cu且导电性比所述外周部高的所述内周部的原料，在所述内周部的原料的外周侧配置所述外周部的原料粉末，在比共晶温度低的预定温度和预定压力的范围加压保持，对所述混合粉末进行放电等离子烧结，

对于所述外周部的原料粉末，由Cu与Cu-Zr母合金的粉末、或者Cu与ZrH₂的粉末中的任一种粉末形成了Cu-xZr的合金组成，其中，x是Zr的原子％，且满足0.5≦x≦16.7。

11.根据权利要求10所述的导电性支持构件的制造方法，所述烧结工序中，使用Cu为50质量％的Cu-Zr母合金。

12.根据权利要求10或11所述的导电性支持构件的制造方法，所述烧结工序中，将所述原料插入石墨制模具内，在真空中进行放电等离子烧结。

13.根据权利要求10或11所述的导电性支持构件的制造方法，所述烧结工序中，在比共晶温度低400℃～5℃的所述预定温度进行放电等离子烧结。