[发明专利]采用单和双扩散中断以提高性能的鳍式场效应晶体管(FINFET)互补金属氧化物半导体(CMOS)电路

权利要求书

1.一种鳍式场效应晶体管FinFET互补金属氧化物半导体CMOS电路，包括：

半导体衬底；

P型FinFET，包括由所述半导体衬底形成的第一鳍状件、并且对应于P型半导体材料扩散区；

N型FinFET，包括由所述半导体衬底形成的第二鳍状件、并且对应于N型半导体材料扩散区；

第一单扩散中断SDB隔离结构，形成在所述P型FinFET的栅极的第一侧上的所述第一鳍状件中；

第二单扩散中断SDB隔离结构，形成在与所述P型FinFET的所述栅极的所述第一侧相对的所述P型FinFET的所述栅极的第二侧上的所述第一鳍状件中；

第一双扩散中断DDB隔离结构，形成在所述N型FinFET的栅极的第一侧上的所述第二鳍状件中；以及

第二双扩散中断DDB隔离结构，形成在与所述N型FinFET的所述栅极的所述第一侧相对的所述N型FinFET的所述栅极的第二侧上的所述第二鳍状件中，

其中所述第一单扩散中断SDB隔离结构和所述第二单扩散中断SDB隔离结构各自具有等于所述P型FinFET的栅极长度的宽度、且各自与所述P型FinFET的相应的非活跃栅极对齐，并且其中所述第一双扩散中断DDB隔离结构和所述第二双扩散中断DDB隔离结构各自与两个相应的所述N型FinFET的非活跃栅极中的每个非活跃栅极的中心线对齐、且各自具有等于两个所述中心线之间间距的宽度。

2.根据权利要求1所述的FinFET CMOS电路，其中：

所述第一单扩散中断SDB隔离结构被形成在距所述P型FinFET的所述栅极的所述第一侧第一限定距离的所述第一鳍状件中；

所述第二单扩散中断SDB隔离结构被形成在距所述P型FinFET的所述栅极的所述第二侧所述第一限定距离的所述第一鳍状件中；

所述第一双扩散中断DDB隔离结构被形成在距所述N型FinFET的所述栅极的所述第一侧第二限定距离的所述第二鳍状件中，其中所述第二限定距离与所述第一限定距离不同；以及

所述第二双扩散中断DDB隔离结构被形成在距所述N型FinFET的所述栅极的所述第二侧所述第二限定距离的所述第二鳍状件中。

3.根据权利要求2所述的FinFET CMOS电路，其中：

所述第一限定距离包括最小单扩散中断SDB距离；以及

所述第二限定距离包括最小双扩散中断DDB距离。

4.根据权利要求3所述的FinFET CMOS电路，其中：

所述P型FinFET的所述栅极长度等于20 nm；以及

所述N型FinFET的栅极长度等于20 nm。

5.根据权利要求4所述的FinFET CMOS电路，其中：

所述第一限定距离包括等于44 nm的所述最小单扩散中断SDB距离；以及

所述第二限定距离包括等于54 nm的所述最小双扩散中断DDB距离。

6.根据权利要求1所述的FinFET CMOS电路，其中：

所述第一单扩散中断SDB隔离结构包括：

被蚀刻在所述第一鳍状件中的第一单扩散中断SDB沟槽；和

被放置在所述第一单扩散中断SDB沟槽中的单扩散中断SDB介电材料；以及

所述第二单扩散中断SDB隔离结构包括：

被蚀刻在所述第一鳍状件中的第二单扩散中断SDB沟槽；和

被放置在所述第二单扩散中断SDB沟槽中的所述单扩散中断SDB介电材料。

7.根据权利要求6所述的FinFET CMOS电路，其中被放置在所述第一单扩散中断SDB沟槽和所述第二单扩散中断SDB沟槽中的所述单扩散中断SDB介电材料包括二氧化硅。