[发明专利]一种化学气相渗透或沉积的方法

权利要求书

1.一种化学气相渗透或沉积的方法，所述方法至少包括以下步骤：

-在多孔基材的孔中或在基材的表面上形成碳化硅，将基材置于反应室中，由引入反应室的气相形成碳化硅，所述气相包含试剂化合物，该试剂化合物是碳化硅的前体，并具有下式：

其中：

-n是等于0或1的整数；

-m是1-3范围内的整数；

-p是0-2范围内的整数，并且m+p＝3；和

-R表示-H或-CH₃；

引入的气相中碳原子数与硅原子数之比C/Si在2至3的范围内。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，R表示-H。

3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，n等于0。

4.如权利要求1-3中任一项所述的方法，其特征在于，所述试剂化合物选自：乙烯基氯硅烷；乙烯基二氯硅烷；乙烯基三氯硅烷；乙烯基甲基单氯硅烷；和烯丙基三氯硅烷。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述试剂化合物是乙烯基三氯硅烷或烯丙基三氯硅烷。

6.如权利要求1-5中任一项所述的方法，其特征在于，所述气相不包含除前体A之外的任何其他含碳试剂化合物。

7.如权利要求1-6中任一项所述的方法，其特征在于，C/Si比值等于2或3。

8.一种制造复合材料部件的方法，所述复合材料部件具有至少部分由碳化硅制成的基质，所述方法至少包括以下步骤：

-通过进行如权利要求1-7中任一项所述的方法使用碳化硅基质相对要获得的部件的纤维预制件进行致密化。

9.如权利要求8所述的方法，其中，所述纤维预制件由陶瓷材料或碳材料的纱线制成。

10.如权利要求8或9所述的方法，其特征在于，所述纤维预制件通过三维编织或者由多个二维纤维层形成为单件。