[发明专利]附接到半导体晶片的具有通孔的无机晶片

权利要求书

1.一种过程，包括：

使用发射光波长的激光在结合到半导体晶片的无机晶片中形成损伤轨迹，其中所述半导体对所述光波长是不透明的，并且所述无机晶片对所述光波长是透明的；以及

通过蚀刻扩大所述无机晶片中的所述损伤轨迹以形成穿过所述无机晶片的孔，所述孔终止于所述半导体晶片和所述无机晶片之间的界面处。

2.根据权利要求1所述的过程，其中所述半导体晶片是裸半导体晶片。

3.根据前述权利要求中任一项所述的过程，其中所述半导体晶片是硅晶片。

4.根据前述权利要求中任一项所述的过程，其中利用蚀刻剂执行所述蚀刻，所述蚀刻剂以第一速率蚀刻所述无机晶片并且以第二速率蚀刻所述半导体晶片，并且所述第一速率是所述第二速率的至少10倍。

5.根据前述权利要求中任一项所述的过程，其中所述无机晶片在室温下具有至少10⁵Ω-m的电阻率，并且在室温下针对0.5mm的厚度具有至少1kV的击穿电压。

6.根据前述权利要求中任一项所述的过程，其中所述无机晶片由选自由铝-硼硅酸盐玻璃、熔融石英和蓝宝石组成的组中的材料制成。

7.根据前述权利要求中任一项所述的过程，其中所述无机晶片的厚度为10μm至1mm。

8.根据权利要求7所述的过程，其中所述无机晶片的厚度为50μm至250μm。

9.根据前述权利要求中任一项所述的过程，其中所述损伤轨迹终止于所述界面处。

10.根据前述权利要求中任一项所述的过程，其中所述损伤轨迹在到达所述界面之前终止于所述无机晶片内。

11.根据前述权利要求中任一项所述的过程，其中所述激光通过产生延伸聚焦的光学器件来发送，并且所述延伸聚焦在所述无机晶片中形成所述损伤轨迹。

12.根据权利要求11所述的过程，其中所述延伸聚焦包括：

焦线，和

多个焦点。

13.根据权利要求12所述的过程，其中所述半导体晶片对由所述激光发射的所述光波长足够不透明以破坏所述延伸聚焦。

14.根据前述权利要求中任一项所述的过程，其中所述激光是短脉冲激光。

15.根据权利要求14所述的过程，其中所述激光是串脉冲激光。

16.根据前述权利要求中任一项所述的过程，其中所述光波长选自由257nm、266nm、343nm、355nm、515nm、530nm、532nm、1030nm和1064nm组成的组。

17.根据前述权利要求中任一项所述的过程，还包括通过阳极结合将所述半导体晶片结合到所述无机晶片。

18.根据前述权利要求中任一项所述的过程，还包括将所述半导体晶片结合到所述无机晶片，其中结合包括形成到所述半导体晶片和所述无机晶片中的至少一个的表面改性层。

19.根据前述权利要求中任一项所述的过程，还包括：

金属化所述孔。

20.根据前述权利要求中任一项所述的过程，其中所述孔在所述无机晶片的相对于所述界面的表面处的直径为4μm至100μm。