[发明专利]具有加工的应力分布的玻璃基制品及其制造方法在审
申请号: | 201780041476.1 | 申请日: | 2017-06-27 |
公开(公告)号: | CN109415251A | 公开(公告)日: | 2019-03-01 |
发明(设计)人: | S·L·法根;W·J·弗纳斯;E·A·库克森科瓦 | 申请(专利权)人: | 康宁股份有限公司 |
主分类号: | C03C23/00 | 分类号: | C03C23/00;C03C3/097;C03B25/02;C03B27/00;C03B29/02;H01L21/687 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 徐鑫;项丹 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 第一表面 光学延迟 中心区域 玻璃基 中心点 应力分布 最短距离 边缘处 加工 制造 | ||
本文揭示了玻璃基制品,其具有第一表面,所述第一表面具有边缘,其中,第一表面的最大光学延迟位于所述边缘处,和所述最大光学延迟小于或等于约40nm,以及其中,光学延迟从所述边缘朝向第一表面的中心区域减少,所述中心区域具有边界,所述边界由从所述边缘朝向第一表面的中心点的距离所限定,其中,所述距离是从所述边缘到所述中心点的最短距离的1/2。
相关申请的交叉参考
本申请根据35 U.S.C.§119,要求2016年06月30日提交的美国临时申请系列第62/356904号的优先权,本文以该申请为基础并将其全文通过引用结合于此。
背景技术
本公开涉及可用作载体基材的玻璃基制品,更具体地,涉及具有加工的应力分布的玻璃基载体基材。
半导体工业依靠载体基材或晶片在各种制造过程期间支撑硅晶片,包括例如硅晶片的薄化以及芯片与硅晶片的组装。通常来说,载体基材或晶片由硅制造。但是,近年来,已经使用玻璃基载体基材或晶片来替代硅载体基材。通常来说,在此类情况下,将用于处理硅载体基材或晶片的相同设备用于处理玻璃基载体基材或晶片。存在对于能够将用于硅载体基材或晶片的现有设备用于玻璃基载体基材或晶片的需求。
发明内容
在第1个方面中,玻璃基制品包括:具有边缘的第一表面,其中,第一表面的最大光学延迟位于所述边缘处,和所述最大光学延迟小于或等于约40nm,以及其中,光学延迟从所述边缘朝向第一表面的中心区域减少,所述中心区域具有边界,所述边界由从所述边缘朝向第一表面的中心点的距离所限定,其中,所述距离是从所述边缘到所述中心点的最短距离的1/2。
在根据第1个方面的第2个方面中,第一表面的平坦度小于或等于约25μm。
在根据第1或第2个方面的第3个方面中,制品在25℃至300℃的温度范围上的热膨胀系数(CTE)是约25x 10-7/℃至约130x 10-7/℃。
在根据任意前述方面的第4个方面中,沿着中心区域的边界的任意点的光学延迟是相同的。
在根据任意前述方面的第5个方面中,其中,玻璃基制品的形状选自下组:圆形、正方形、矩形、和椭圆形。
在根据任意前述方面的第6个方面中,其中,第一表面上的光学延迟分布相对于表面的中心点对称。
在根据任意前述方面的第7个方面中,最大光学延迟小于或等于约25nm。
在根据任意前述方面的第8个方面中,其中,最大光学延迟小于或等于约5nm。
在根据任意前述方面的第9个方面中,其中,第一表面的平坦度小于或等于约20μm。
在根据任意前述方面的第10个方面中,第一表面的边缘处于压缩应力。
在根据第10个方面的第11个方面中,第一表面的中心处于张力。
在根据第1至第10个方面中任一项的第12个方面中,第一表面的边缘处于张力。
在根据第12个方面的第13个方面中,第一表面的中心处于压缩应力。
在根据任意前述方面的第14个方面中,玻璃基制品还包括与第一表面相反的第二表面,其中,第二表面的最大光学延迟在边缘处,以及所述最大光学延迟小于或等于约40nm。
在根据第12个方面的第15个方面中,第一表面的平坦度小于或等于约25μm。
在根据第13个方面的第16个方面中,第二表面的平坦度小于或等于约25μm。
在根据任意前述方面的第17个方面中,制品是玻璃或玻璃陶瓷。
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