[发明专利]检查衬底和检查方法

说明书

一种用于检查用于处理生产衬底的设备的部件的检查衬底，所述检查衬底包括：主体，所述主体具有与所述生产衬底相似的尺寸，使得所述检查衬底与所述设备兼容；照射装置，所述照射装置被嵌入在所述主体中，所述照射装置被配置为朝着所述设备的所述部件的目标区域发出辐射；成像装置，所述成像装置被嵌入在所述主体中，所述成像装置被配置为检测在所述目标区域处散射的辐射并且根据所检测到的辐射生成图像；其中，所述照射装置被配置为发出辐射，使得在所述目标区域处被镜面反射的辐射不会对由所述成像装置生成的所述图像产生贡献。

相关申请的交叉引用

本申请要求2016年7月4日提交的EP申请16177745.3的优先权，并且其全部内容通过引用的方式并入本文。

技术领域

本发明涉及一种用于例如，光刻设备、量测设备或者处理设备的检查衬底和检查方法。

背景技术

光刻设备是一种将期望的图案施加到衬底上(通常施加到衬底的目标部分上)的机器。例如，可以在制造集成电路(IC)时使用光刻设备。在该实例中，可以使用图案形成装置(备选地，该图案形成装置被称为掩模或者掩模版)来生成待形成在IC的单独的层上的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括部分、一个或者多个裸片)上。通常经由成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来转移图案。通常，单个衬底将包括相继被图案化的相邻目标部分的网络。

已经将浸没式技术引入到光刻系统中，以实现对较小的特征的改善的分辨率。在浸没式光刻设备中，具有相对较高的折射率的液体形成的液体层被插入在设备的投影系统(通过该投影系统，图案化的光束朝着衬底被投影)与衬底之间的空间中。液体最后覆盖晶片的在投影系统的最终的透镜元件之下的部分。因此，至少衬底的经历曝光的部分被浸没在液体中。浸液的效果是：使得能够使较小的特征成像，因为曝光辐射在液体中将比在气体中具有更短的波长。(液体的效果还可以被视为：增加了系统的有效数值孔径(NA)并且还增加了焦点的深度。)

在商业的浸没式光刻中，液体是水。通常，水是高纯度的蒸馏水，诸如，通常用于半导体制造工厂的超纯水(UPW)。在浸没式系统中，UPW经常被净化并且其可以在作为浸液供应至浸没空间之前经历另外的处理步骤。除了水之外，还可以使用具有高折射率的其它液体作为浸液，例如：烃类(诸如，氟代烃)；和/或水溶液。进一步地，已经设想了除了液体之外的其它流体用于浸没式光刻。

在本说明书中，将参照对局部浸没的描述，在该局部浸没中，浸液在使用中被限制在最终的透镜元件与面向该最终的元件的表面之间的空间。面向的表面是衬底的表面或者支撑平台(或者衬底台)的与衬底表面共面的表面。(请注意，另外或者备选地，下文中对衬底W的表面的引用还是指衬底台的表面或者替代衬底台的表面，除非另有明确说明；反之亦然。)存在于投影系统与平台之间的流体处理结构用于将浸没限制在浸没空间。由液体填充的空间在平面上小于衬底的顶表面，并且当衬底和衬底平台在下面移动时，该空间相对于投影系统保持基本静止。

流体处理结构是向浸没空间供应液体，从该空间移除液体，并且因此将液体限制在浸没空间的结构。其包括作为流体供应系统的一部分的特征。在PCT专利申请公报第WO99/49504号中公开的布置是一种包括管子的早期流体处理结构，这些管子向空间供应或者从空间回收液体，并且根据平台在投影系统之下的相对运动进行操作。在最近的设计中，流体处理结构沿着在投影系统的最终的元件与衬底台60或者衬底W之间的空间的边界的至少一部分延伸以部分地限定空间。

光刻设备是一种复杂的设备，并且必须在非常受控的环境下操作其大部分关键零件，污染规范高于对洁净室的标准。如果设备必须被打开来进行维护或者检查，则会需要在设备可以被恢复以进行服务之前进行诸如去污和启动等耗时的处理。期望使设备的任何停机时间尽可能地减到最少，因为这降低了设备的生产率并且增加了拥有成本。

发明内容