[发明专利]用于生产光电子组件的方法和光电子组件

权利要求书

1.一种用于生产光电子组件（10）的方法，包括 以下步骤：

- 提供载体（100）；

- 在载体（100）的顶侧（101）上方布置被结构化的反射器（200）；

- 在反射器（200）的开口（210）中布置包括顶侧（301）和与顶侧（301）相对的底侧（302）的光电子半导体芯片（300），其中光电子半导体芯片（300）的底侧（302）面对载体（100）的顶侧（101）；

- 在载体（100）的顶侧（101）上方布置嵌入材料（400），其中光电子半导体芯片（300）至少部分地嵌入到嵌入材料（400）中，作为其结果形成包括光电子半导体芯片（300）、反射器（200）和嵌入材料（400）的合成主体（500）；

- 将合成主体（500）从载体（100）卸除。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，反射器（200）被形成为平坦片材或平坦膜，特别是被形成为金属引线框或金属膜。

3.根据权利要求1所述的方法，其中光电子半导体芯片（300）突出超过被结构化的反射器（200）的顶侧（201）。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，载体（100）被提供有布置在其顶侧（101）处的粘接膜（110），特别是被提供有通过热处理或者通过电磁辐照可脱除的粘接膜，

其中反射器（200）被布置在粘接膜（110）上。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，光电子半导体芯片（300）的一个或多个电接触焊盘（310）被布置在光电子半导体芯片（300）的底侧（302）处。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，光电子半导体芯片（300）被形成为倒装芯片。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，光电子半导体芯片（300）被形成为体发射的发光二极管芯片。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，光电子半导体芯片（300）的顶侧（301）被嵌入材料（400）覆盖。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，嵌入材料（400）包括硅酮。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，嵌入材料（400）包括嵌入的波长转换颗粒。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，通过模制处理或浇注处理来执行对嵌入材料（400）进行布置。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，在布置嵌入材料（400）之前，执行以下的进一步的步骤：

- 在光电子半导体芯片（300）的顶侧（301）上方布置包括波长转换材料的膜（410），其中，以合成主体（500）也包括膜（410）这样的方式将膜（410）嵌入到嵌入材料（400）中。

13.根据权利要求1所述的方法，其中，光电子半导体芯片（300）被以如下的方式布置在反射器（200）的开口（210）中：光电子半导体芯片（300）和反射器（200）之间的距离（320）在光电子半导体芯片（300）的所有侧上具有相同的量值。

14.根据权利要求1所述的方法，其中，反射器（200）被形成为包括多个开口（210）的栅网。

15.根据权利要求14所述的方法，

其中，多个光电子半导体芯片（300）被分别布置在反射器（200）的开口（210）中，

其中，所形成的合成主体（500）包括所有光电子半导体芯片（300），

其中，在卸除合成主体（500）之后，执行以下的进一步的步骤：

- 划分合成主体（500）。