[发明专利]缺陷检测装置、缺陷检测方法、裸片接合机、半导体制造方法、以及半导体装置制造方法有效

专利信息
申请号: 201780041948.3 申请日: 2017-06-29
公开(公告)号: CN109564172B 公开(公告)日: 2021-08-31
发明(设计)人: 田井悠;上林笃正 申请(专利权)人: 佳能机械株式会社
主分类号: G01N21/956 分类号: G01N21/956;H01L21/301;H01L21/52;H01L21/66
代理公司: 北京市创世宏景专利商标代理有限责任公司 11493 代理人: 崔永华
地址: 日本国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 缺陷 检测 装置 方法 接合 半导体 制造 以及
【权利要求书】:

1.一种缺陷检测装置,检测在具备浓淡层和被覆层的工件中的被覆层形成的缺陷,其中,该浓淡层具有来源于半导体制造工序的浓淡图案,该被覆层覆盖该浓淡层的浓淡图案,该缺陷检测装置的特征在于,

具备观察机构,该观察机构具有:

对所述工件进行照明的照明器;和

观察由该照明器照明的所述工件的观察部位的摄像装置,

所述被覆层由单层或两层以上的多层构成,

所述照明器具备沿周向以给定间距配设的多个发光部,

从所述照明器照射的照明光是可见光之外、至少与从浓淡层反射而入射到所述摄像装置的光相比从所述被覆层反射或者散射而入射到摄像装置的光的强度大的波长且降低了所述浓淡层的浓淡图案的影响的光,

所述摄像装置是进行从上方观察由所述照明器照明的工件的观察部位的暗视野观察的装置,能检测形成于所述被覆层的表面乃至内部的缺陷。

2.一种缺陷检测装置,检测在具备浓淡层和被覆层的工件中的被覆层形成的缺陷,其中,该浓淡层具有来源于半导体制造工序的浓淡图案,该被覆层覆盖该浓淡层的浓淡图案,该缺陷检测装置的特征在于,

具备观察机构,该观察机构具有:

对所述工件进行照明的照明器;和

观察由该照明器照明的所述工件的观察部位的摄像装置,

所述被覆层由单层或两层以上的多层构成,

从所述照明器照射的照明光是可见光之外、至少与从浓淡层反射而入射到所述摄像装置的光相比从所述被覆层反射或者散射而入射到摄像装置的光的强度大的波长且降低了所述浓淡层的浓淡图案的影响的光,

所述摄像装置是进行从上方观察由所述照明器照明且旋转中的工件的观察部位的暗视野观察的装置,能检测形成于所述被覆层的表面乃至内部的缺陷。

3.根据权利要求1或2所述缺陷检测装置,其特征在于,

所述被覆层是有机物层。

4.根据权利要求1或2所述缺陷检测装置,其特征在于,

所述照明器的照明光当中被观察的波长是1000nm以上。

5.根据权利要求1或2所述的缺陷检测装置,其特征在于,

所述工件的缺陷具有开口部和倾斜面部的至少任一者,

进行使形成于所述工件的缺陷的观察图像上的缺陷放大的观察。

6.根据权利要求1或2所述的缺陷检测装置,其特征在于,

关于所述照明器的照明方向,在拍摄轴和工件被配置成正交时,工件和照明轴所成的角是50°~85°。

7.一种缺陷检测方法,检测在具备浓淡层和被覆层的工件中的被覆层形成的缺陷,其中,该浓淡层具有浓淡图案,该被覆层覆盖该浓淡层的浓淡图案,该缺陷检测方法的特征在于,

所述被覆层由单层或两层以上的多层构成,

从照明器对所述工件照射可见光之外、至少与从所述浓淡层反射而入射到摄像装置的光相比从所述被覆层反射或者散射而入射到摄像装置的光的强度大的波长的照明光,降低所述浓淡层的浓淡图案的影响来进行观察,所述照明器具备沿周向以给定间距配设的多个发光部,

进行从上方观察由所述照明器照明的工件的观察部位的暗视野观察,以便能检测形成于所述被覆层的表面乃至内部的缺陷。

8.一种缺陷检测方法,检测在具备浓淡层和被覆层的工件中的被覆层形成的缺陷,其中,该浓淡层具有浓淡图案,该被覆层覆盖该浓淡层的浓淡图案,该缺陷检测方法的特征在于,

所述被覆层由单层或两层以上的多层构成,

对所述工件照射可见光之外、至少与从所述浓淡层反射而入射到摄像装置的光相比从所述被覆层反射或者散射而入射到摄像装置的光的强度大的波长的照明光,降低所述浓淡层的浓淡图案的影响来进行观察,

进行从上方观察由照明器照明且旋转中的工件的观察部位的暗视野观察,以便能检测形成于所述被覆层的表面乃至内部的缺陷。

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