[发明专利]电子切换元件

权利要求书

1.忆阻组件,其包括一个或多个电子切换元件(1)，所述电子切换元件(1)按以下顺序包含

第一电极(20)，

结合至基板的分子层(18)，和

第二电极(16)，

其中所述基板由第一电极(20)和任选位于此第一电极上的一个或多个层组成，且

其中所述分子层由一种或多种如下文所定义的式I化合物构成：

R¹-(A¹-Z¹)_r-B¹-(Z²-A²)_s-Sp-G (I)

其中

R¹表示H、具有1至15个C原子的烷基或烷氧基，其中这些基团中的一个或多个CH₂基团也可各自彼此独立地以O原子不直接彼此连接的方式由-C≡C-、-CH＝CH-、O-、-S-、-CF₂O-、-OCF₂-、-CO-O-或-O-CO-、-SiR⁰R⁰⁰-、-NH-、-NR⁰-、-SO₂-替代，且其中，一个或多个H原子也可由卤素、CN、SCN或SF₅替代，

R⁰、R⁰⁰相同或不同地表示具有1至15个C原子的烷基或烷氧基，其中一个或多个H原子也可由卤素替代，

A¹、A²在每次出现时相同或不同地表示具有4至25个环原子的芳香族、杂芳香族、脂环族或杂脂肪族环，其也可含有稠环且其可由Y单取代或多取代，

Y在每次出现时相同或不同地表示F、Cl、CN、SCN、SF₅或具有1至12个C原子的直链或支链且在每种情况下任选经氟化的烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰基氧基或烷氧基羰基氧基，

B¹表示

其中基团可以以两个方向取向,

L¹至L⁵彼此独立地表示F、Cl、Br、I、CN、SF₅、CF₃、OCF₃，其中L³供选择地也可表示H，

Z¹、Z²在每次出现时相同或不同地表示单键、-CF₂O-、-OCF₂-、-CF₂S-、-SCF₂-、-CH₂O-、-OCH₂-、-C(O)O-、-OC(O)-、-C(O)S-、-SC(O)-、-CH₂-、-(CH₂)₂-、-(CH₂)₃-、-(CH₂)₄-、-CF₂-、-CF₂-CF₂-、-CF₂-CH₂-、-CH₂-CF₂-、-CH＝CH-、-CF＝CF-、-CF＝CH-、-CH＝CF-、-(CH₂)₃O-、-O(CH₂)₃-、-C≡C-、-O-、-S-或-N＝N-，

Sp表示间隔基团或单键，

G表示-CH＝CH₂、-OH、-SH、-SO₂OH、-OP(O)(OH)₂、-PO(OH)₂、-C(OH)(PO(OH)₂)₂、-COOH、-Si(OR^x)₃、-SiCl₃，

R^x表示具有1至6个C原子的直链或支链烷基，且

r和s，彼此独立地表示0、1、2或3，

其中r+s≤4。

2.根据权利要求1的忆阻组件，其特征在于第一电极(20)代表用于分子层的基板。