[发明专利]对被处理体进行处理的方法

权利要求书

1.一种对被处理体进行处理的方法，其中，

该被处理体具备被蚀刻层、设置于该被蚀刻层上的有机膜和设置于该有机膜上的掩模，该有机膜由第1区域与第2区域构成，该掩模设置于该第1区域上，该第1区域设置于该第2区域上，该第2区域设置于该被蚀刻层上，

该方法具备：

在收容有所述被处理体的等离子体处理装置的处理容器内，生成第1气体的等离子体，使用该等离子体与所述掩模对所述第1区域进行蚀刻直至到达所述第2区域，并在该第1区域的侧面保形形成保护膜的工序；及

按照第2掩模由所述第2区域的一部分形成、且所述掩模的宽度和所述第2掩模的宽度被相互独立地控制的方式，使用所述保护膜维持所述第1区域的形状，并且对所述第2区域进行蚀刻直至到达所述被蚀刻层的工序。

2.根据权利要求1所述的对被处理体进行处理的方法，其中，

所述第1气体包含氢气与氮气。

3.根据权利要求1所述的对被处理体进行处理的方法，其中，

所述保护膜为氧化膜。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的对被处理体进行处理的方法，其中，

保形形成所述保护膜的所述工序在对所述第1区域进行蚀刻直至到达所述第2区域之后，

通过反复执行序列，在所述第1区域的所述侧面保形形成所述保护膜，所述序列包括以下工序：

将第2气体供给至所述处理容器内的工序；

在执行供给所述第2气体的所述工序之后，吹扫所述处理容器内的空间的工序；

在执行吹扫所述空间的所述工序之后，在所述处理容器内生成第3气体的等离子体的工序；及

在执行生成所述第3气体的等离子体的所述工序之后，吹扫所述处理容器内的空间的工序；

并且，供给所述第2气体的所述工序不生成该第2气体的等离子体。

5.根据权利要求4所述的对被处理体进行处理的方法，其中，

所述第2气体包含氨基硅烷类气体。

6.根据权利要求5所述的对被处理体进行处理的方法，其中，

所述第2气体包含单氨基硅烷。

7.根据权利要求5所述的对被处理体进行处理的方法，其中，

所述第2气体中所含的氨基硅烷类气体包含具有1～3个硅原子的氨基硅烷。

8.根据权利要求5或7所述的对被处理体进行处理的方法，其中，

所述第2气体中所含的氨基硅烷类气体包含具有1～3个氨基的氨基硅烷。

9.根据权利要求5～7中任一项所述的对被处理体进行处理的方法，其中，

所述第3气体包含氧原子。

10.根据权利要求9所述的对被处理体进行处理的方法，其中，

所述第3气体包含二氧化碳气体或氧气。

11.根据权利要求5～7、10中任一项所述的对被处理体进行处理的方法，其中，

保形形成所述保护膜的所述工序还包含以下工序：

在反复执行所述序列之后，在所述处理容器内生成第4气体的等离子体，且使用该等离子体除去通过反复执行该序列而形成于所述第2区域的表面的膜，

所述第4气体包含氟。

12.根据权利要求5～7、10中任一项所述的对被处理体进行处理的方法，其中，

对所述第2区域进行蚀刻的所述工序是在所述处理容器内生成第5气体的等离子体，并使用该等离子体、所述第1区域及所述保护膜对所述第2区域进行蚀刻。

13.根据权利要求12所述的对被处理体进行处理的方法，其中，

对所述第2区域进行蚀刻的所述工序包含：

所述处理容器内的压力成为第1压力的期间；及在该期间之后，该处理容器内的压力成为第2压力的期间，

所述第2压力高于所述第1压力。